公开(公告)号：CN113871449B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202110260030.6

申请日：2021-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶佳灵 ,  帕拉范苏莫汉塔 ,  陈京玉 ,  谢江河 ,  林育贤

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/85 ,  H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法，特别是具有用于阻挡电子泄漏且提高阈值电压的后势垒层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。在一个实施例中，一种半导体装置包含：氮化镓(GaN)层；在氮化镓层上方的前势垒层；在前势垒层上方形成的源电极、漏电极以及栅电极；在氮化镓层与前势垒层之间的第一界面处的氮化镓层中的2维电子气(2‑DEG)；以及在氮化镓层中的后势垒层，其中后势垒层包括氮化铝(AlN)。

公开(公告)号：CN113871449A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110260030.6

申请日：2021-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶佳灵 ,  帕拉范苏莫汉塔 ,  陈京玉 ,  谢江河 ,  林育贤

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法，特别是具有用于阻挡电子泄漏且提高阈值电压的后势垒层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。在一个实施例中，一种半导体装置包含：氮化镓(GaN)层；在氮化镓层上方的前势垒层；在前势垒层上方形成的源电极、漏电极以及栅电极；在氮化镓层与前势垒层之间的第一界面处的氮化镓层中的2维电子气(2‑DEG)；以及在氮化镓层中的后势垒层，其中后势垒层包括氮化铝(AlN)。

公开(公告)号：CN114664641A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110448281.7

申请日：2021-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈廷睿 ,  陈治棻 ,  游本杰 ,  谢东喜 ,  谢江河

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  G03F7/42

Abstract: 提供一种形成半导体构造的方法。所述方法包括在衬底的顶表面之上形成图案化光刻胶。所述方法包括使用图案化光刻胶对衬底的第一部分进行掺杂。所述方法包括使用包含氟化物的气体移除图案化光刻胶，其中在移除图案化光刻胶之后，来自气体的氟化物残留物存留在衬底的顶表面上。所述方法包括使用一氧化二氮对衬底进行处理，以移除氟化物残留物。

公开(公告)号：CN113889409A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110122260.6

申请日：2021-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗益全 ,  帕拉范苏莫汉塔 ,  陈旻聪 ,  谢江河 ,  陈京玉 ,  叶佳灵

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力和应变。沟槽所提供的应力和应变消除可减少或除去外延层和衬底中的裂纹和/或其它类型的缺陷，可减少和/或除去衬底的弯曲和翘曲，可减少衬底的断裂等。这可提高外延层的中心到边缘的质量，可以允许外延层生长在较大的衬底上。