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公开(公告)号：CN113161420B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN106611765A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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公开(公告)号：CN106252323A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510736308.7
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/4824 , H01L21/76898 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0508 , H01L23/49811 , H01L21/4853
Abstract: 本公开提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的焊盘结构。半导体衬底布置在后道工序(BEOL)金属化堆叠件上方，并且包括划线开口。缓冲层衬垫划线开口。导电焊盘包括基区和突出区。基区布置在划线开口中的缓冲层上方，并且突出区从基区伸至BEOL金属化堆叠件中。介电层填充导电焊盘上方的划线开口，并且与半导体衬底的上表面大致齐平。此外，本公开提供了一种制造焊盘结构的方法以及CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN103531597B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210034271.X
申请日：2012-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括基板，该基板具有正面、背面、以及侧壁，侧壁与正面和背面相连接。该图像传感器件包括多个辐射感测区域，位于基板中。每个辐射感测区域都能够感测穿过背面发射到辐射感测区域的辐射。该图像传感器件包括互连结构，该互连结构连接到基板的正面。该互连结构包括多个互连层，并且延展超过基板的侧壁。该图像传感器件包括接合焊盘，该接合焊盘与基板的侧壁间隔开。该接合焊盘电连接到互连结构中的一个互连层。
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公开(公告)号：CN109768061B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585466B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810662951.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
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公开(公告)号：CN106486412B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610769404.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽隔离区域。本发明实施例涉及深沟槽隔离及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109768061A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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公开(公告)号：CN103456752B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310178004.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种器件包括二极管，该二极管包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。第三掺杂区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域的一部分和第二掺杂区域的一部分重叠。本发明还公开了CMOS图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104347684A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310586650.4
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极/漏极区，源极/漏极区形成在器件隔离结构中的间隙中并且被栅极结构的延伸件部分包围绕。本发明还提供了一种形成晶体管器件的方法。
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