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公开(公告)号：CN117316967A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310973034.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L25/065 , H01L25/00
Abstract: 本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。本公开的各种实施例针对包括第一芯片和第二芯片的图像传感器。第一芯片包括第一衬底、设置在第一衬底中的多个光电检测器、设置在该第一衬底的前侧上的第一互连结构以及设置在第一互连结构上的第一接合结构。第二芯片位于第一芯片之下。第二芯片包括第二衬底、设置在第二衬底上的多个半导体器件、设置在第二衬底的前侧上的第二互连结构以及设置在第二互连结构上的第二接合结构。第一接合界面设置在第二接合结构和第一接合结构之间。第二互连结构通过第一和第二接合结构电耦接到第一互连结构。第一接合结构和第二接合结构中的至少一个包括一个或更少的导电接合层。
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公开(公告)号：CN116314221A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310018096.3
申请日：2023-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。第二栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。栅电极结构位于第一栅极介电结构的部分和第二栅极介电结构的部分上面。第一栅极介电结构具有第一厚度。第二栅极介电结构具有大于第一厚度的第二厚度。本申请的实施例还提供了用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN104347684A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310586650.4
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极/漏极区，源极/漏极区形成在器件隔离结构中的间隙中并且被栅极结构的延伸件部分包围绕。本发明还提供了一种形成晶体管器件的方法。
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公开(公告)号：CN117393573A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311020551.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本公开的半导体器件结构可以包括具有第一衬底和第一互连结构的第一管芯、具有第二衬底和第二互连结构的第二管芯以及具有第三互连结构和第三衬底的第三管芯。第一互连结构经由第一多个接合层接合到第二衬底。第二互连结构经由第二多个接合层接合到第三互连结构。第三衬底包括多个光电二极管和第一晶体管。第二管芯包括第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第二晶体管的源极与第一晶体管的漏极连接，第三晶体管的栅极与第一晶体管漏极和第二晶体管源极连接。本公开还提供了形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN110556389B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556389A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910122237.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN102610621B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210016669.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1461 , H01L27/14629
Abstract: 一种图像传感器，该图像传感器包括设置在硅衬底上的吸收层，吸收层具有至少SiGe或Ge之一，和直接设置在吸收层上的反射层。
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公开(公告)号：CN104282702A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410295594.3
申请日：2014-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14687 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。
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公开(公告)号：CN104347684B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201310586650.4
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极/漏极区，源极/漏极区形成在器件隔离结构中的间隙中并且被栅极结构的延伸件部分包围绕。本发明还提供了一种形成晶体管器件的方法。
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公开(公告)号：CN104282702B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410295594.3
申请日：2014-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14687 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。
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