公开(公告)号：CN108493287A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810270741.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 深圳大学

Inventor： 张希 ,  彭达 ,  刁东风

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种偏压调制的高灵敏光电探测器及其制备方法与应用，其中，光电探测器的制备方法，包括：步骤A、在n型硅片的上表面制作绝缘层；步骤B、在所述n型硅片的下表面制作底电极，在所述绝缘层上制作顶电极；步骤C、采用ECR等离子体溅射工艺在掺杂硼元素的SiO2基片上制作石墨烯嵌入式碳膜；步骤D、将所述石墨烯嵌入式碳膜转移至所述顶电极的上表面，并且所述n型硅片和所述顶电极均与所述石墨烯嵌入式碳膜接触。本方法制备的光电探测器能偏压调制费米能级，具有对微弱光线（pW级）的灵敏探测能力；并且本制备方法拥有成本低、易于大面积制造的优点。

公开(公告)号：CN108121478A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711203007.3

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 张亨旭 ,  金胤镐

IPC: G06F3/041 ,  G06K9/00 ,  H01L27/32

CPC classification number: G06K9/0004 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F3/044 ,  G06F3/0488 ,  G06F2203/04106 ,  G06K9/00053 ,  G09G3/3233 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3269 ,  H01L27/3272 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1136 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/52 ,  G06K9/00046

Abstract: 提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一基体层；电路层，设置在第一基体层上并且包括多个开关元件；像素层，设置在电路层上并且包括发光元件，其中，发光元件被构造为从多个开关元件中的至少一个接收电流，以发射第一光；以及传感器层，设置在第一基体层下方并且包括传感器，其中，传感器被构造为接收当第一光被外部物体反射时产生的第二光。

公开(公告)号：CN106374006A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610894003.3

申请日：2016-10-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王林 ,  刘昌龙 ,  唐伟伟 ,  郭万龙 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/102 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种室温可调控的亚太赫兹波探测器及制备方法，以具有高迁移率且载流子浓度可调的石墨烯场效应晶体管为基本结构单元，场效应晶体管具有一组亚太赫兹波耦合天线的源漏电极和劈裂栅极。所述探测器在蓝宝石衬底上集成对数周期天线以及相应的引线电极；在天线间距中转移的石墨烯导电沟道；在石墨烯导电沟道上有氧化铝栅介质层，最后，在石墨烯导电沟道的氧化铝栅介质层上集成劈裂栅极以及相应的引线电极，实现可调控的亚太赫兹波探测。本发明的优点在于：高速、宽频、响应高且可调控的类光导与类光伏探测器；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现太赫兹探测器大规模应用奠定基础。

公开(公告)号：CN104064620A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410243025.4

申请日：2014-06-03

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李孝峰 ,  吴凯 ,  吴绍龙 ,  杨阵海 ,  李珂

IPC: H01L31/09

CPC classification number: H01L31/102 ,  H01L31/022408

Abstract: 本发明公开了一种基于MIM结构的表面等离激元增强的光电探测器，包括基底，其特征在于所述基底上由下而上依次设置下金属膜层、下电介质隔层、上金属膜层、上电介质隔层和金属光栅层，还包括上、下金属膜层电极导线，分别连接至上、下金属膜层上作为探测器的输出端口。因本设计中作为核心的金属光栅层会带来光栅层的局域陷光效应，以及上、下金属膜层光吸收的明显差异导致的电子流隧穿效应，故本发明的这种光电探测器同时具备体积小(纳米量级)、耗材少、结构相对简单、易于加工、光谱响应宽、探测角度大等特点。

公开(公告)号：CN103545397A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310521558.X

申请日：2013-10-29

Applicant: 中国科学院化学研究所

Inventor： 靳志文 ,  王吉政

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明公开了一种薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器，包括基底和在其上的图案化的电极层，在所述图案化的电极层的正极和负极之间具有光敏感层，所述光敏感层包括氧化锌层和纳米金颗粒层。该探测器结合了氧化锌的高迁移率和金纳米颗粒与氧化锌界面形成的大面积的氧空位层低导电层，高迁移率导致了短的电子渡越时间，大面积的氧空位低导电层导致了长的光激子的寿命，当光照射到器件上时，材料吸光产生载流子很快并大量的被电极收集产生很大的G值，从而提高了探测器的灵敏度。同时器件所用到的超薄的活性层材料对可见光的吸收与散射特别低，其透光性能也极佳。因此，这种薄膜紫外光探测器具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN100474634C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03803039.X

申请日：2003-02-03

Applicant: 派克米瑞斯公司

Inventor： 柯呈佶 ,  巴里·莱文

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/102 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明包含具有由第二p型半导体层耦合的第一p型半导体层和n型半导体层的光电二极管。第二p型半导体层在沿载流子的路径上具有分级的掺杂。具体而言，掺杂的浓度分级为从阳极附近的高值到接近阴极的p浓度的低值。通过以这种方式对掺杂进行分级，实现吸收增加，改善器件的响应度。虽然与相同厚度的本征半导体相比，这种掺杂增加了容量，但由这种分级掺杂而产生的伪电场使电子具有非常高的速度，这种速度高于对这种容量的增加的补偿。

公开(公告)号：CN101064280A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610139683.4

申请日：2006-09-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若林利广 ,  濑户山孝男 ,  浅野佑次 ,  五十岚章郎

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种将光接收元件部分、CMOS元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层(其实例包括N型扩散层，作为P型扩散层的阳极扩散层、P型阱扩散层以及集电极扩散层，作为N型扩散层的阴极扩散层和集电极接触扩散层，作为N型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层，以及作为P型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层)可同时形成在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、CMOS元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中。

公开(公告)号：CN107275433A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710198773.9

申请日：2017-03-29

Applicant: 湖北京邦科技有限公司

Inventor： 徐青 ,  王麟 ,  N·达申佐 ,  谢庆国

IPC: H01L31/102 ,  H01L27/142 ,  H01L27/144 ,  H01L21/762

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/102 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/142 ,  H01L27/1446

Abstract: 本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管完全隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线。本发明的有益之处在于，深槽介质层与SOI衬底将每一个光电二极管与其它临近的光电二极管完全隔离开来，阻止了直接光学串扰和延迟光学串扰的产生，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的整体光学串扰，并大幅提升件的单光子分辨能力。

公开(公告)号：CN104282702B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410295594.3

申请日：2014-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  陈思莹 ,  徐伟诚 ,  曾晓晖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。

公开(公告)号：CN105932091A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610551522.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 于永强 ,  许克伟 ,  耿祥顺 ,  李智 ,  罗林保

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：是在N型半导体衬底的下表面设置有与N型半导体衬底呈欧姆接触的底电极，上表面覆盖有掩膜层；掩膜层为绝缘材料，在掩膜层的中央预留有通孔，在通孔内沉积有二维碲化钼薄膜，其与N型导体衬底接触，形成N‑N同型异质结；在碲化钼薄膜上表面设置有与碲化钼呈欧姆接触的顶电极。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单、技术成熟可靠，易于控制；所得器件具有高灵敏度、高速率、高探测率、自驱动等优异性能。