公开(公告)号：CN101064280A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610139683.4

申请日：2006-09-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若林利广 ,  濑户山孝男 ,  浅野佑次 ,  五十岚章郎

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种将光接收元件部分、CMOS元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层(其实例包括N型扩散层，作为P型扩散层的阳极扩散层、P型阱扩散层以及集电极扩散层，作为N型扩散层的阴极扩散层和集电极接触扩散层，作为N型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层，以及作为P型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层)可同时形成在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、CMOS元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中。