公开(公告)号：CN1238906C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03120928.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 浅野祐次 ,  加藤盛央 ,  濑户山孝男 ,  福岛稔彦 ,  夏秋和弘

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/763 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1446

Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。

公开(公告)号：CN101064280A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610139683.4

申请日：2006-09-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 若林利广 ,  濑户山孝男 ,  浅野佑次 ,  五十岚章郎

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种将光接收元件部分、CMOS元件以及具有双层多晶硅结构的双极晶体管元件形成在一个芯片上的半导体器件的制造方法，该半导体器件能够高速运行和宽带运行。通过进行相同导电类型的离子注入，相同导电类型的扩散层(其实例包括N型扩散层，作为P型扩散层的阳极扩散层、P型阱扩散层以及集电极扩散层，作为N型扩散层的阴极扩散层和集电极接触扩散层，作为N型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层，以及作为P型扩散层的源极/漏极扩散层和基极多晶硅扩散层)可同时形成在半导体衬底或该半导体衬底上方的外延层的光接收元件区、CMOS元件区以及双极晶体管元件区中的两个或更多个区域中。

公开(公告)号：CN1447445A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03120928.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 富士通株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 浅野祐次 ,  加藤盛央 ,  濑户山孝男 ,  福岛稔彦 ,  夏秋和弘

IPC: H01L31/00 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02024 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/763 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1446

Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。