公开(公告)号：CN108493287B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201810270741.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 深圳大学

Inventor： 张希 ,  彭达 ,  刁东风

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种偏压调制的高灵敏光电探测器及其制备方法与应用，其中，光电探测器的制备方法，包括：步骤A、在n型硅片的上表面制作绝缘层；步骤B、在所述n型硅片的下表面制作底电极，在所述绝缘层上制作顶电极；步骤C、采用ECR等离子体溅射工艺在掺杂硼元素的SiO2基片上制作石墨烯嵌入式碳膜；步骤D、将所述石墨烯嵌入式碳膜转移至所述顶电极的上表面，并且所述n型硅片和所述顶电极均与所述石墨烯嵌入式碳膜接触。本方法制备的光电探测器能偏压调制费米能级，具有对微弱光线（pW级）的灵敏探测能力；并且本制备方法拥有成本低、易于大面积制造的优点。

公开(公告)号：CN108493287A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810270741.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 深圳大学

Inventor： 张希 ,  彭达 ,  刁东风

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种偏压调制的高灵敏光电探测器及其制备方法与应用，其中，光电探测器的制备方法，包括：步骤A、在n型硅片的上表面制作绝缘层；步骤B、在所述n型硅片的下表面制作底电极，在所述绝缘层上制作顶电极；步骤C、采用ECR等离子体溅射工艺在掺杂硼元素的SiO2基片上制作石墨烯嵌入式碳膜；步骤D、将所述石墨烯嵌入式碳膜转移至所述顶电极的上表面，并且所述n型硅片和所述顶电极均与所述石墨烯嵌入式碳膜接触。本方法制备的光电探测器能偏压调制费米能级，具有对微弱光线（pW级）的灵敏探测能力；并且本制备方法拥有成本低、易于大面积制造的优点。