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公开(公告)号：CN108871596B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201811050934.0
申请日：2018-09-10
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: G01J11/00
Abstract: 本申请揭示了一种成像装置和包括该成像装置的成像系统。该成像装置包括：像素阵列，其包括多个像素单元，每个所述像素单元均被配置为探测光子并响应于探测到的所述光子来进行计数，并且按照预设顺序来读出所记录的计数数据，以获得对应的图像，其中，每个所述像素单元的探测关闭信号输入端与在紧邻其之前进行读出操作的像素单元的读出控制信号输入端连接，每个所述像素单元的重置控制信号输入端与在紧随其之后进行读出操作的像素单元的读出控制信号输入端连接。根据本申请揭示的成像装置和成像系统，可以准确地探测出光子数及其位置，并且可以提高成像装置的光子计数动态范围及其工作效率。
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公开(公告)号：CN111628034A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010471029.3
申请日：2020-05-28
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法，其包括：在所制备的衬底上生长出外延层，其中，外延层和衬底均呈第一导电类型；在外延层中的远离衬底的一侧形成呈与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与所述第三掺杂区之间；在外延层的一侧上方形成分别与第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区连接的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘以获得对应的电极。通过利用本申请提供的技术方案，可以提供适合于对波长较长的光子进行探测的装置。
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公开(公告)号：CN107830939A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711029961.5
申请日：2017-10-30
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种彩色数字硅光电倍增器像素单元，自上而下依次由对蓝光、绿光和红光敏感的三层探测器及位于探测器层下方的信号处理电路层构成。本发明的有益效果是，1、在单个像素单元内即可探测到红、绿、蓝三基色，利用一个像素就能感应全部色彩信息；2、由于探测单元位于表面而处理电路位于探测单元下方，处理电路并未占用光敏感区域的面积，所以像素单元具有较高的填充因子，因而具有较高的灵敏度，可以方便地应用于较低光通量探测领域；3、得益于单光子雪崩光电二极管的高内部增益，像素数据读出并不需要复杂的读出电路；4、由于在像素级别即实现了输出信号的数字化，从而也大大简化了后续信号处理电路的复杂程度。
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公开(公告)号：CN107039425A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710197636.3
申请日：2017-03-29
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/144 , H01L31/107
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/1443 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于部分SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管部分隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线。本发明的有益之处在于，深槽介质层与部分SOI衬底层将每一个光电二极管与其它光电二极管最大幅度的隔离开来，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的光学串扰，并大幅提升件的单光子分辨能力。
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公开(公告)号：CN109238462B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811051955.4
申请日：2018-09-10
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: G01J1/44
Abstract: 本申请揭示了一种光子探测方法及装置。该方法主要包括：S1，调整单元调整探测单元的偏置电压以开启探测单元；S2，在探测单元探测到光子并发生雪崩倍增效应之后，淬灭单元控制探测单元中的电荷堆积以淬灭探测单元的雪崩倍增效应，并且控制探测单元中堆积后的电荷释放以恢复探测单元对光子的探测能力；S3，计数单元对探测单元在电荷堆积和释放的过程中产生的电信号进行计数；S4，读取单元在第一预设时间内读取计数单元所记录的计数数据，并且同时调整单元调整探测单元的偏置电压以关闭探测单元；S5，重复S1‑S4，直到完成预设时钟周期内的光子探测。通过本申请公开的技术方案，可以提高光子探测的动态范围和光子探测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109238462A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811051955.4
申请日：2018-09-10
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: G01J1/44
Abstract: 本申请揭示了一种光子探测方法及装置。该方法主要包括：S1，调整单元调整探测单元的偏置电压以开启探测单元；S2，在探测单元探测到光子并发生雪崩倍增效应之后，淬灭单元控制探测单元中的电荷堆积以淬灭探测单元的雪崩倍增效应，并且控制探测单元中堆积后的电荷释放以恢复探测单元对光子的探测能力；S3，计数单元对探测单元在电荷堆积和释放的过程中产生的电信号进行计数；S4，读取单元在第一预设时间内读取计数单元所记录的计数数据，并且同时调整单元调整探测单元的偏置电压以关闭探测单元；S5，重复S1-S4，直到完成预设时钟周期内的光子探测。通过本申请公开的技术方案，可以提高光子探测的动态范围和光子探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN107275433A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710198773.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: H01L31/102 , H01L27/142 , H01L27/144 , H01L21/762
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/102 , H01L21/76224 , H01L21/7624 , H01L27/142 , H01L27/1446
Abstract: 本发明公开了一种新型半导体光电倍增器件，包括位于SOI衬底之上的外延光电二极管阵列，将每一个光电二极管完全隔离的深槽介质层，与每一个光电二极管串联的高阻电阻，以及用于高阻电阻和光电二极管之间相互互连的金属互连线。本发明的有益之处在于，深槽介质层与SOI衬底将每一个光电二极管与其它临近的光电二极管完全隔离开来，阻止了直接光学串扰和延迟光学串扰的产生，降低了次级光子对临近光电二极管的影响，从而可以显著降低器件的整体光学串扰，并大幅提升件的单光子分辨能力。
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公开(公告)号：CN111628034B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202010471029.3
申请日：2020-05-28
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种光电探测装置的制造方法，其包括：在所制备的衬底上生长出外延层，其中，外延层和衬底均呈第一导电类型；在外延层中的远离衬底的一侧形成呈与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与所述第三掺杂区之间；在外延层的一侧上方形成分别与第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区连接的第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘以获得对应的电极。通过利用本申请提供的技术方案，可以提供适合于对波长较长的光子进行探测的装置。
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公开(公告)号：CN109151345B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811052632.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
Abstract: 本申请揭示了一种成像装置的数据读出方法，该方法包括以下步骤：按照预设顺序对成像装置中的N个像素单元进行排序；以及按照所述N个像素单元的排序顺序依次对所述N个像素单元进行数据读出操作，并且在对每个像素单元进行数据读出操作时，同时对排序紧邻其之前的像素单元进行计数重置操作、对排序紧邻其之后的像素单元进行探测关闭操作、以及对剩余的N‑3个像素单元进行电信号计数操作。通过应用本申请所揭示的数据读出方法，可以准确地确定成像装置所探测到的光子数，并且可以提高成像装置的光子计数动态范围。
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公开(公告)号：CN110086463A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910415211.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 湖北京邦科技有限公司
Abstract: 本申请公开了延迟电路和包括该延迟电路的半导体装置。该延迟电路包括：第一延迟锁定环，其包括与时钟信号输入端连接的且包含第一组延迟单元的第一延迟链，并且第一组延迟单元中的一个第一延迟单元被配置为向外部输出第一延迟信号；第二延迟锁定环，其包括与时钟信号输入端连接的且包含相互连接的第二组延迟单元和第三组延迟单元的第二延迟链，并且第二组延迟单元中的与上述第一延迟单元对应的一个第二延迟单元被配置为向外部输出第二延迟信号，这三组延迟单元的延迟时间各不相同，并且第一组延迟单元的延迟时间大于第三组延迟单元的延迟时间。通过本申请提供的技术方案，可以减小不同延迟锁定环所输出的延迟信号之间的延迟时间差。
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