公开(公告)号：CN118943224A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411029410.9

申请日：2024-07-30

申请人： 瑞昌中建材光电材料有限公司

发明人： 蒋猛 ,  赵雷 ,  东冬冬 ,  傅干华 ,  李良舵 ,  胡其林 ,  王琪 ,  李春青

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种二六族太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，从上至下依序包括：玻璃层、导电层、氧化物窗口层、第一吸收层、第二吸收层、背接触层、背金属层；所述玻璃层，具有≥90的可见光透过率；所述导电层，其用于对前电极层进行导电及将可见光投射入吸收层；所述氧化物窗口层，其用于将第一吸收层和导电层分隔开；所述第一吸收层和第二吸收层，均以吸收太阳光，产生光生伏特效应；背接触层，以实现二六族化合物与背金属层的欧姆接触；背金属层，以实现与后电极层的导电。本发明的太阳能电池载流子寿命得到明显提升，同时电流密度和开路电压也得到显著升高。

公开(公告)号：CN118630098A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410770046.5

申请日：2024-06-14

申请人： 北京圣阳科技发展有限公司

发明人： 张宁 ,  陈玉峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种CIGS薄膜太阳能电池掺Na同时制备ZnS缓冲层的方法。本发明将锌源、硫源、缓冲剂、络合剂和水混合，得到反应溶液；将已经沉积有CIGS光吸收层薄膜的衬底放入反应溶液中，进行反应，在CIGS光吸收层薄膜上制得ZnS缓冲层薄膜；将沉积有CIGS光吸收层薄膜和ZnS缓冲层薄膜的衬底在氨水中浸泡，干燥后于空气中进行退火处理，空冷至室温，即可。该方法既可采用柔性金属材料，也可采用刚性玻璃材料作为电池衬底；采用化学水浴法制备ZnS缓冲层的同时对CIGS光吸收层掺Na，既有利于提高电池性能，又简化了工艺流程，并且原料廉价易得，降低电池生产成本，适合大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN118486760A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410655372.1

申请日：2024-05-24

申请人： 西湖大学光电研究院

发明人： 陈梦璐 ,  薛晓梦 ,  何琪 ,  张柯男

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101

摘要： 本发明公开了一种偏压调控量子点梯度掺杂PN结的红外光谱器件制备方法，包括：利用表面配体调控量子点薄膜掺杂浓度和类型，设计获得“强P型‑次强P型‑弱P型‑本征型‑N型层”及“大带隙—中大带隙‑中带隙‑中小带隙‑小带隙”的探测器结构；利用偏压调控，实现量子点梯度掺杂PN结红外探测器对不同光谱的不同响应，制备获得带隙掺杂双梯度PN结的红外光谱器件。本发明制备的光谱器件，无需复杂的分光光路或针对特定谱段设计的滤光片等微结构，仅需调控探测器工作的偏压，即可分辨光谱，同时实现了小型化和高光子利用效率。

公开(公告)号：CN118465015A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410492824.9

申请日：2024-04-23

申请人： 淮阴工学院

发明人： 朱可星 ,  张加栋 ,  马翔宇 ,  王玉江 ,  杨燕铭 ,  朱秀芳 ,  郭黎明 ,  张立静 ,  陈义 ,  郑子哲

IPC分类号： G01N27/30 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0296 ,  C08G12/26 ,  C01G11/02

摘要： 本发明涉及COFs光电传感技术领域，公开了一种COF@CdS光电复合材料的制备方法及其应用，步骤为：将H2TAPP、TBA和BPDA溶解在均三甲苯、乙酸和乙醇的混合液里，在室温下搅拌，得混合物；将所述混合物密封并在110‑120℃下加热22‑26 h，冷却，离心，洗涤，真空干燥，得COF‑367 NSs；将CdCl2溶液和硫代乙醇酸混合，氮气条件下磁力搅拌，并用NaOH溶液调节其pH值；加入Na2S溶液及COF‑367 NSs，氮气条件下110‑120℃加热回流4‑5h，得COF@CdS光电复合材料。本发明合成了具有良好光电性能的复合材料，制备过程简单、危险性小。

公开(公告)号：CN118352413A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410496393.3

申请日：2024-04-24

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 ,  CTF太阳能有限公司

发明人： 帕斯卡·君特 ,  彭寿 ,  马立云

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池，包括作为电子传输层的n型透明导电层、作为光活性层的本征CdSeTe层和p型空穴传输层。本发明还涉及一种生产这种太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供包含n型透明导电层的透明衬底堆叠，在透明衬底堆叠上形成本征CdSeTe层，以及在形成本征CdSeTe层后，在本征CdSeTe层上形成p型空穴传输层。形成本征CdSeTe层的步骤包括沉积包含镉、硒和碲的层或层堆，以及在沉积包含镉、硒和碲的层或层堆后，在包含卤素的活化剂存在下，在400℃至500℃的温度范围内进行活化处理。

公开(公告)号：CN118299463A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410398458.0

申请日：2019-01-14

申请人： 第一阳光公司

发明人： S·格罗弗 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/385 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明涉及光伏器件中吸收层的V族掺杂方法。根据本文提供的实施方案，用于掺杂吸收层的方法可包括使吸收层与退火化合物接触。退火化合物可包含氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐。阴离子、阳离子或二者可包含V族元素。方法可包括使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。

公开(公告)号：CN113745359B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202110986532.7

申请日：2021-08-26

申请人： 暨南大学

发明人： 沈凯 ,  刘娇 ,  麦耀华 ,  周逸良 ,  鲍飞雄 ,  王新龙

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN117476790B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311359061.2

申请日：2023-10-19

申请人： 湖北大学 ,  广州金升阳科技有限公司

发明人： 何云斌 ,  朱弘毅 ,  陈兴驰 ,  陈相 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  陈剑 ,  尹向阳 ,  刘伟 ,  邓云

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032

摘要： 本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3:Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3:Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。

公开(公告)号：CN109358041B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201811094887.X

申请日：2018-09-19

申请人： 信阳师范学院

发明人： 肖振宇 ,  曹阳 ,  冯旭莹 ,  高梦格 ,  刘文元 ,  孙书杰 ,  赵志强 ,  孙柱柱 ,  李彦磊 ,  程念 ,  房良 ,  訾威 ,  刘江峰 ,  涂友超 ,  耿晓菊

IPC分类号： G01N21/78 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明涉及一种硫化镉薄膜比色装置，包括多个不同厚度的硫化镉薄膜样品和采样板，采样板上平面开设有多个带底的腔体，腔体内部设置有样品室、推杆和弹簧；一种制备硫化镉薄膜的方法，包括以下步骤：清洗衬底，CdSO4与超纯水混合制成反应溶液；缓慢滴加氨水至反应容器内，衬底置于反应容器内；反应溶液内添加硫脲；加热反应溶液，反应溶液进行成膜反应，直至硫化镉薄膜的厚度达到预定值；取出衬底置于去离子水中冲洗，然后烘干或吹干，得到硫化镉薄膜样品。一种硫化镉薄膜比色装置，本发明通过硫化镉薄膜比色装置和制备硫化镉薄膜的方法；便于快速方便的判断实验中硫化镉薄膜的厚度和防止硫化镉薄膜污染。

公开(公告)号：CN117577745B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202410064584.2

申请日：2024-01-17

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 杨永添 ,  吴健 ,  周昭寅

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/388

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。