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公开(公告)号：CN117071071B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311060691.X
申请日：2023-08-22
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的p型氧化镓薄膜的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发MxGa1‑xN靶材得到MxGa1‑xN团簇，同时通入O2氧化团簇得到M‑N共掺杂的Ga2O3薄膜。通过等价元素铝或钪等掺杂即合金化提高了氧化镓的导带底和价带顶，抑制氧空位缺陷电离的同时降低了氮受主激活能，同时有效提高了N受主元素在氧化镓薄膜中的溶解度及N受主稳定性；通过本发明的方法制备的共掺杂p型氧化镓薄膜为高质量外延薄膜，空穴载流子浓度高、电阻率低，p型导电稳定性好，且所需的设备和制备工艺简单、生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN112201711A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010947161.7
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。
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公开(公告)号：CN117476790B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311359061.2
申请日：2023-10-19
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/0304 , H01L31/0296 , H01L31/032
摘要： 本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3:Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3:Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。
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公开(公告)号：CN117476790A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311359061.2
申请日：2023-10-19
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/0304 , H01L31/0296 , H01L31/032
摘要： 本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3:Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3:Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。
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公开(公告)号：CN117071071A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311060691.X
申请日：2023-08-22
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的p型氧化镓薄膜的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发MxGa1‑xN靶材得到MxGa1‑xN团簇，同时通入O2氧化团簇得到M‑N共掺杂的Ga2O3薄膜。通过等价元素铝或钪等掺杂即合金化提高了氧化镓的导带底和价带顶，抑制氧空位缺陷电离的同时降低了氮受主激活能，同时有效提高了N受主元素在氧化镓薄膜中的溶解度及N受主稳定性；通过本发明的方法制备的共掺杂p型氧化镓薄膜为高质量外延薄膜，空穴载流子浓度高、电阻率低，p型导电稳定性好，且所需的设备和制备工艺简单、生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN112195438B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010947157.0
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低No的能级，提高No的稳定性。
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公开(公告)号：CN102796988B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210306684.9
申请日：2012-08-24
申请人： 广州金升阳科技有限公司 , 湖北大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，靶台的自转速度为4~6r/min，调节衬底的生长温度为100~700℃，激光器的脉冲能量为150~250mJ，激光脉冲频率为1~10Hz，开启激光器，进行溅射沉积10~60min，将CuInS2靶材表面原子溅射出来沉积在衬底表面形成CuInS2外延薄膜。该方法工艺简单，对设备要求低。
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公开(公告)号：CN102390997B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110236713.4
申请日：2011-08-17
申请人： 广州金升阳科技有限公司 , 湖北大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：其化学式为：[(Na0.5+xK0.5-x)0.94Li0.06][(Nb0.94Sb0.06)0.95Ta0.05]O3+ymol％TM+zmol％RE；其中：TM为MnO2、Fe2O3或Ni2O3；RE为CeO2或Nd2O3；x值为0或0.01～0.11；y值为0.02～0.12；z值为0～0.05。还公开了上述陶瓷的制备方法和用途。本发明陶瓷材料在保持了优良的压电铁电性能的同时，还具有高耐压的特性，且其耐压性能的温度稳定性很好，在140℃高温下仍然保持很高的耐压强度。该材料耐压性能明显优于目前常用的钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料，常温时其耐压值是BST材料的1.7倍以上。
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公开(公告)号：CN102390997A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110236713.4
申请日：2011-08-17
申请人： 广州金升阳科技有限公司 , 湖北大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
摘要： 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：其化学式为：[(Na0.5+xK0.5-x)0.94Li0.06][(Nb0.94Sb0.06)0.95Ta0.05]O3+ymol％TM+zmol％RE；其中：TM为MnO2、Fe2O3或Ni2O3；RE为CeO2或Nd2O3；x值为0或0.01～0.11；y值为0.02～0.12；z值为0～0.05。还公开了上述陶瓷的制备方法和用途。本发明陶瓷材料在保持了优良的压电铁电性能的同时，还具有高耐压的特性，且其耐压性能的温度稳定性很好，在140℃高温下仍然保持很高的耐压强度。该材料耐压性能明显优于目前常用的钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料，常温时其耐压值是BST材料的1.7倍以上。
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公开(公告)号：CN112201711B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010947161.7
申请日：2020-09-10
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。本发明的光电探测器，具有低的暗电流与功耗、快的响应速度，可以在零偏压下工作。
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