公开(公告)号：CN118299463A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410398458.0

申请日：2019-01-14

申请人： 第一阳光公司

发明人： S·格罗弗 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/385 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明涉及光伏器件中吸收层的V族掺杂方法。根据本文提供的实施方案，用于掺杂吸收层的方法可包括使吸收层与退火化合物接触。退火化合物可包含氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐。阴离子、阳离子或二者可包含V族元素。方法可包括使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。

公开(公告)号：CN113261116B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980086001.3

申请日：2019-10-23

申请人： 第一阳光公司

发明人： 陈乐 ,  S·格罗弗 ,  J·克法特 ,  S·克尼亚詹斯基 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  廖峰 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  王文明 ,  熊刚 ,  张威

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 根据本文提供的实施方案，光伏器件可以包括与用V族掺杂剂p型掺杂的吸收层相邻的缓冲层。所述缓冲层可以具有与V族掺杂剂相容的多个层。

公开(公告)号：CN117038788A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311010819.1

申请日：2018-02-27

申请人： 第一阳光公司

发明人： S.格罗弗 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  陆定原 ,  R.马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392

摘要： 本公开的发明名称是“光伏器件以及用于形成该光伏器件的方法”。根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。

公开(公告)号：CN113261116A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980086001.3

申请日：2019-10-23

申请人： 第一阳光公司

发明人： 陈乐 ,  S·格罗弗 ,  J·克法特 ,  S·克尼亚詹斯基 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  廖峰 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  王文明 ,  熊刚 ,  张威

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 根据本文提供的实施方案，光伏器件可以包括与用V族掺杂剂p型掺杂的吸收层相邻的缓冲层。所述缓冲层可以具有与V族掺杂剂相容的多个层。

公开(公告)号：CN111670504A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201780098268.5

申请日：2017-12-07

申请人： 第一阳光公司

发明人： 辛骞骞 ,  曹洪波 ,  S·格罗弗 ,  W·H·休伯 ,  李晓萍 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  彭红樱 ,  J·J·香 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/0296

摘要： 光伏器件（100）能够包括吸收层（160）。吸收层（160）能够p型掺杂有V族掺杂剂并且能够具有大于4x1015cm-3的V族掺杂剂的载流子浓度。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的氧。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的碱金属。用于载流子激活的方法能够包括在还原环境（220）中使吸收层（160）暴露于退火化合物。退火化合物（224）能够包括氯化镉和碱金属氯化物。

公开(公告)号：CN111630669A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980010956.0

申请日：2019-01-14

申请人： 第一阳光公司

发明人： S·格罗弗 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 根据本文提供的实施方案，用于掺杂吸收层的方法可包括使吸收层与退火化合物接触。退火化合物可包含氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐。阴离子、阳离子或二者可包含V族元素。方法可包括使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。

公开(公告)号：CN110546770A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027701.0

申请日：2018-02-27

申请人： 第一阳光公司

发明人： S.格罗弗 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  陆定原 ,  R.马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/0296

摘要： 根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。

公开(公告)号：CN110546769A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027223.3

申请日：2018-02-22

申请人： 第一阳光公司

发明人： S.格罗弗 ,  李晓萍 ,  R.马利克 ,  S.塞伊莫哈马迪 ,  熊刚 ,  张威 ,  S.欧文

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18

摘要： 提供在光伏器件中掺杂多晶薄膜半导体材料的结构和方法。实施方案包括用于形成和处理光伏半导体吸收层的方法。

公开(公告)号：CN118786533A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202280092447.9

申请日：2022-12-23

申请人： 第一阳光公司

发明人： T·阿布勒金 ,  S·格罗弗 ,  J·哈克 ,  W·梅茨格尔 ,  熊刚 ,  E·赫蒂亚拉奇 ,  T·希尔 ,  S·克尼亚詹斯基 ,  N·瓦尔德斯

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/072 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  G01N23/2258 ,  H01L29/88 ,  H10K30/00

摘要： 本文描述了所提供的具有多晶II‑VI型半导体吸收体材料(包括n‑型吸收体组合物)并具有p‑型空穴接触层的光伏器件。描述了处理半导体吸收层和形成空穴接触层的方法。

公开(公告)号：CN118451557A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086185.5

申请日：2022-10-26

申请人： 第一阳光公司

发明人： J·贝克尔 ,  W·胡伯 ,  李政昊 ,  马家骝 ,  D·韦斯 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/20 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/055

摘要： 本文中描述了具有双面增强的光伏器件。