公开(公告)号：CN118969881A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411187175.8

申请日：2024-08-27

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 杨楠楠 ,  金井升 ,  刘照轩 ,  张彼克

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面，第一面为背光面；第一隧穿层，第一隧穿层设于所述第一面上；掺杂层，设于所述第一隧穿层上，掺杂层的导电类型与半导体基底的导电类型相反，掺杂层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，所述第一掺杂区为掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层，所述第二掺杂区为掺杂多晶硅层；多个第一电极，设于掺杂层背离所述半导体基底的一侧，每个所述第一电极与一所述第二掺杂区欧姆接触。可通过低温掺杂形成非晶硅层或微晶硅层，然后对非晶硅层或微晶硅层局部晶化处理形成用作发射极的第二掺杂区，制作过程中可以低温掺杂工艺形成掺杂，对设备要求低，成本降低。

公开(公告)号：CN116314455A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310242591.2

申请日：2023-03-09

Applicant: 武汉大学

Inventor： 胡耀武 ,  章泽群

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0384

Abstract: 本申请公开了一种激光冲击优化TMDs等离激元光电晶体管性能的方法。该方法包括：提供复合纳米结构层，复合纳米结构层包括二层金属纳米颗粒层和叠设于二层金属纳米颗粒之间的TMDs层；使用脉冲激光冲击对复合纳米结构层进行处理；对经过激光冲击的复合纳米结构层上形成金属电极，得到光电晶体管，并对光电晶体管性能进行测试。本技术方案中，通过采用上述激光冲击优化TMDs等离激元光电晶体管性能的方法，可以使得TMDs和金属纳米颗粒发生协同变形，减少纳米颗粒间隙，使得“间隙模式”LSPR的局域场增强效果进一步提升，并导致TMDs应变增大，带隙减少，扩大光吸收范围，最终提升了光电晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115332376A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210916415.8

申请日：2022-08-01

Applicant: 深圳大学

Inventor： 孙振华 ,  池治国 ,  文政

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种红外光电探测器及制备方法，该红外光电探测器包括：半导体层，半导体层由具有电子能带隙的材料制得；绝缘介电层，形成于半导体层的一侧表面；栅电极，设置于绝缘介电层背离半导体层的一侧；红外光敏层，设置于半导体层上，红外光敏层为窄带隙半导体纳米形态颗粒形成的多晶薄膜；红外透明电极，设置于红外光敏层背离半导体层的一侧表面；红外透明电极为具有高导电性与红外透过性的薄膜，红外透明电极宽度小于或等于红外光敏层宽度；源电极及漏电极，设置于半导体层的一侧表面，且分别设置于红外光敏层的两侧。本发明解决了目前红外光电探测器无法兼具高光电响应度和高响应速度的问题。

公开(公告)号：CN102177592A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980125727.X

申请日：2009-06-10

Applicant: 晶体太阳有限公司

Inventor： 迪特尔·迈斯纳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0384 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种用于制造单粒膜的方法以及依据本方法制造的单粒膜。此外，本发明涉及由所制造的单粒膜制造的太阳能电池的制造方案以及所制造的太阳能电池。但依据本发明制造的单粒膜也可以不同地应用，例如用于将电能转换成辐射能或者用在用于辐射检测的探测器内。本发明的目标在于，能够改进地制造单粒膜连同太阳能电池。为了解决该任务，首先提供由粘结剂组成的水平取向的层。粘结剂尚未硬化或交联，从而粘结剂是液态的或者至少是粘稠的。在层内，颗粒部分置入层中，亦即穿过层的表面进入层内。颗粒部分置入的意思是说，在部分置入后，每个颗粒仅一部分浸入层内，并且因此颗粒的某一区域保留在层表面的上方。由此达到：颗粒保留在粘结剂表面上方的区域可靠地不被粘结剂润湿。随后，粘结剂例如通过硬化或者交联而固化。这时，存在一种带有在一侧凸出的颗粒的单粒膜，该单粒膜的表面可靠地既没有粘结剂或者粘结剂残余，也没有其他粘接剂或者粘附剂或者粘接剂残余。

公开(公告)号：CN118451557A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086185.5

申请日：2022-10-26

Applicant: 第一阳光公司

Inventor： J·贝克尔 ,  W·胡伯 ,  李政昊 ,  马家骝 ,  D·韦斯 ,  熊刚

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/20 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/055

Abstract: 本文中描述了具有双面增强的光伏器件。

公开(公告)号：CN110556433B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910625034.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  吴婉华 ,  罗恺楹 ,  谢斯航 ,  郭秀珍

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层，所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro‑OMeTAD薄膜或厚度为10～40nm的聚[双(4‑苯基)(2，4，6‑三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过引入有机材料作为空穴传输层，有效地减少了载流子的复合，改善了漏电现象，相比于传统的倒置太阳电池，提高了器件短路电流和开路电压，改善了器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。

公开(公告)号：CN107112372A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070541.4

申请日：2015-11-05

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： R·怀特 ,  E·斯派格内

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/115 ,  H01L37/025 ,  H01L41/183 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种装置和方法，该装置包括：电荷载体，其中电荷载体包括连续的三维框架，三维框架包括遍及框架的多个腔；遍及电荷载体被提供的传感器材料；其中传感器材料被配置为对检测到的输入进行换能并且根据检测到的输入改变电荷载体的电荷传导率。

公开(公告)号：CN102201464B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110070288.6

申请日：2011-03-23

Applicant: 英迪股份有限公司

Inventor： 明承烨

IPC: H01L31/076 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供光电装置及其制造方法，该光电装置包括，基板；第一电极，位于上述基板上；第二电极，位于上述第一电极的对面，从中光被入射；第一单元电池，位于上述第一电极和上述第二电极之间，并包括纯半导体层，该纯半导体层包括在上述第二电极一侧的表面上形成凹凸的晶硅晶粒；第二单元电池，位于上述第一单元电池和上述第二电极之间。

公开(公告)号：CN104094416A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380008396.8

申请日：2013-02-04

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： S.L.迪伊登霍芬 ,  D.K.G.德博尔

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0384

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种太阳能电池，包括p/n-掺杂的半导体纳米线（22）的层（12）、至少一个聚合物层（10），其中所述p/n-掺杂的半导体纳米线（22）的层（12）至少部分地嵌在所述聚合物层（10）中，并且所述聚合物层（10）具有第一表面（32）和第二表面（34），其中，在工作状态，第一表面（32）比第二表面（34）更加靠近入射位置处的入射光（20），并且其中第一表面（32）的面积大于第二表面（34）的面积。

公开(公告)号：CN102576744A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038231.1

申请日：2010-07-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.瓦格纳 ,  R.勒尔维尔

IPC: H01L31/0384 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/072

CPC classification number: H01L31/0384 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及尤其是作为用于异质结太阳能电池的发射体材料使用的半导体层材料，其被构成为分别由多个交替地上下叠置地布置的第一和第二层组成的堆叠，其中第一层由元素的多晶半导体组成，并且第二层由半导体的亚化学计量的电绝缘化合物尤其是氧化物、碳化物或氮化物组成，并且其中通过退火这样不规则地对在第一和第二层之间的界面进行结构化，使得在相邻的通过第二层相互分开的第一层之间构造微接触区域。