公开(公告)号：CN110546770A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880027701.0

申请日：2018-02-27

申请人： 第一阳光公司

发明人： S.格罗弗 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  陆定原 ,  R.马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/0296

摘要： 根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。

公开(公告)号：CN113261116B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980086001.3

申请日：2019-10-23

申请人： 第一阳光公司

发明人： 陈乐 ,  S·格罗弗 ,  J·克法特 ,  S·克尼亚詹斯基 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  廖峰 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  王文明 ,  熊刚 ,  张威

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 根据本文提供的实施方案，光伏器件可以包括与用V族掺杂剂p型掺杂的吸收层相邻的缓冲层。所述缓冲层可以具有与V族掺杂剂相容的多个层。

公开(公告)号：CN118451557A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086185.5

申请日：2022-10-26

申请人： 第一阳光公司

发明人： J·贝克尔 ,  W·胡伯 ,  李政昊 ,  马家骝 ,  D·韦斯 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  B82Y10/00 ,  H01G9/20 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/055

摘要： 本文中描述了具有双面增强的光伏器件。

公开(公告)号：CN116830279A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180092775.4

申请日：2021-12-01

申请人： 第一阳光公司

发明人： D·曹 ,  M·格洛克勒 ,  S·格罗弗 ,  J·哈克 ,  李政昊 ,  陆定原 ,  A·瓦拉达拉詹 ,  熊刚 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/073

摘要： 通过如下获得具有p型接触层(180)的、具有II‑VI型半导体吸收剂材料(160)的光伏装置(100)：在基材堆叠(113)上形成II‑VI吸收剂层，其中II型材料包括镉(Cd)并且VI型材料包括碲(Te)；使包含氢氧化物的碱性洗涤流体与所述吸收剂层的第二表面接触以产生富Cd表面，在所述吸收剂层(160)上沉积p型接触层(180)，由此所述p型接触层与富Cd层直接相邻，并且其中所述p型接触层包含以下中的至少一种：PTAA、P3HT、聚‑TPD、TFB、TTF‑1、TF8‑TAA、TIF8‑TAA、SGT‑407、PCDTBT、螺OMeTAD、蒽基HTM、聚噻吩、半导体聚合物、NiO、CuSCN或CuI；和在所述p型接触层上沉积导电层(190)。

公开(公告)号：CN117038788A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311010819.1

申请日：2018-02-27

申请人： 第一阳光公司

发明人： S.格罗弗 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  陆定原 ,  R.马利克 ,  熊刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0392

摘要： 本公开的发明名称是“光伏器件以及用于形成该光伏器件的方法”。根据本文所提供的实施例，用于形成光伏器件的方法能够包括使多个半导体层沉积。多个半导体层能够包括掺杂有V族掺杂剂的掺杂层。掺杂层能够包括硒化镉或碲化镉。该方法能够包括使多个半导体层退火以形成吸收剂层。

公开(公告)号：CN113261116A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980086001.3

申请日：2019-10-23

申请人： 第一阳光公司

发明人： 陈乐 ,  S·格罗弗 ,  J·克法特 ,  S·克尼亚詹斯基 ,  李政昊 ,  李晓萍 ,  廖峰 ,  陆定原 ,  R·马利克 ,  王文明 ,  熊刚 ,  张威

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 根据本文提供的实施方案，光伏器件可以包括与用V族掺杂剂p型掺杂的吸收层相邻的缓冲层。所述缓冲层可以具有与V族掺杂剂相容的多个层。