公开(公告)号：CN109564947A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047535.6

申请日：2017-05-31

申请人： 第一阳光公司

发明人： K.林 ,  W.H.休伯 ,  H.彭 ,  M.格勒克勒 ,  G.莫尔 ,  廖峰 ,  赵志波 ,  A.罗斯

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 提出了掺杂的光伏器件。该光伏器件包括设置在前触点和后触点之间的半导体吸收体层或堆叠。吸收体层包含掺杂有Ag和任选的Cu的镉、硒和碲。Ag掺杂剂可以5×1015/cm3至2.5×1017/cm3的量经由若干施加方法中的任何方法在沉积吸收体层之前、期间或之后加到吸收体中。光伏器件在较高的PT(=ISC*VOC乘积)值例如约160W下具有改善的填充因子和PMAX，其导致与未掺杂Ag的器件相比改善的转换效率。改善的PT可能是由于ISC增大、VOC增大或二者。

公开(公告)号：CN116830279A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180092775.4

申请日：2021-12-01

申请人： 第一阳光公司

发明人： D·曹 ,  M·格洛克勒 ,  S·格罗弗 ,  J·哈克 ,  李政昊 ,  陆定原 ,  A·瓦拉达拉詹 ,  熊刚 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/073

摘要： 通过如下获得具有p型接触层(180)的、具有II‑VI型半导体吸收剂材料(160)的光伏装置(100)：在基材堆叠(113)上形成II‑VI吸收剂层，其中II型材料包括镉(Cd)并且VI型材料包括碲(Te)；使包含氢氧化物的碱性洗涤流体与所述吸收剂层的第二表面接触以产生富Cd表面，在所述吸收剂层(160)上沉积p型接触层(180)，由此所述p型接触层与富Cd层直接相邻，并且其中所述p型接触层包含以下中的至少一种：PTAA、P3HT、聚‑TPD、TFB、TTF‑1、TF8‑TAA、TIF8‑TAA、SGT‑407、PCDTBT、螺OMeTAD、蒽基HTM、聚噻吩、半导体聚合物、NiO、CuSCN或CuI；和在所述p型接触层上沉积导电层(190)。

公开(公告)号：CN115485410A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180029423.4

申请日：2021-02-19

申请人： 第一阳光公司

发明人： 陈乐 ,  D·何 ,  李晓萍 ,  R·鲍威尔 ,  宋之斌 ,  V·斯坦曼 ,  A·瓦拉达拉詹 ,  D·韦斯 ,  熊刚 ,  赵志波

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L51/42

摘要： 描述了通过使用气相传输沉积(VTD)形成钙钛矿层和钙钛矿前体层用于制造光伏器件的结构和方法。

公开(公告)号：CN112086540A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010966136.3

申请日：2015-02-11

申请人： 第一阳光公司

发明人： D·达姆加诺维奇 ,  M·格勒克勒 ,  廖峰 ,  A·罗斯 ,  毛聃 ,  B·米利伦 ,  G·摩尔 ,  R·鲍威尔 ,  K·林 ,  A.罗格林 ,  J·特里维迪 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明涉及光伏装置及制造方法。光伏装置包括衬底结构和至少一个含Se层，例如CdSeTe层。制造所述光伏装置的方法包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和蒸气传输沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSeTe层。所述方法还可包括控制所述含Se层的厚度范围。

公开(公告)号：CN107112374B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201580072252.8

申请日：2015-02-11

申请人： 第一阳光公司

发明人： D.达姆加诺维奇 ,  M.格勒克勒 ,  廖峰 ,  A.罗斯 ,  毛聃 ,  B.米利伦 ,  G.摩尔 ,  R.鲍威尔 ,  K.林 ,  A.罗格林 ,  J.特里维迪 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 光伏装置包括衬底结构和至少一个含Se层，例如CdSeTe层。制造所述光伏装置的方法包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和蒸气传输沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSeTe层。所述方法还可包括控制所述含Se层的厚度范围。

公开(公告)号：CN109564947B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201780047535.6

申请日：2017-05-31

申请人： 第一阳光公司

发明人： K.林 ,  W.H.休伯 ,  H.彭 ,  M.格勒克勒 ,  G.莫尔 ,  廖峰 ,  赵志波 ,  A.罗斯

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

摘要： 提出了掺杂的光伏器件。该光伏器件包括设置在前触点和后触点之间的半导体吸收体层或堆叠。吸收体层包含掺杂有Ag和任选的Cu的镉、硒和碲。Ag掺杂剂可以5×1015/cm3至2.5×1017/cm3的量经由若干施加方法中的任何方法在沉积吸收体层之前、期间或之后加到吸收体中。光伏器件在较高的PT(=ISC*VOC乘积)值例如约160W下具有改善的填充因子和PMAX，其导致与未掺杂Ag的器件相比改善的转换效率。改善的PT可能是由于ISC增大、VOC增大或二者。

公开(公告)号：CN107112374A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072252.8

申请日：2015-02-11

申请人： 第一阳光公司

发明人： D.达姆加诺维奇 ,  M.格勒克勒 ,  廖峰 ,  A.罗斯 ,  毛聃 ,  B.米利伦 ,  G.摩尔 ,  R.鲍威尔 ,  K.林 ,  A.罗格林 ,  J.特里维迪 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

摘要： 光伏装置包括衬底结构和至少一个含Se层，例如CdSeTe层。制造所述光伏装置的方法包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和蒸气传输沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSeTe层。所述方法还可包括控制所述含Se层的厚度范围。