公开(公告)号：CN112086540A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010966136.3

申请日：2015-02-11

申请人： 第一阳光公司

发明人： D·达姆加诺维奇 ,  M·格勒克勒 ,  廖峰 ,  A·罗斯 ,  毛聃 ,  B·米利伦 ,  G·摩尔 ,  R·鲍威尔 ,  K·林 ,  A.罗格林 ,  J·特里维迪 ,  赵志波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明涉及光伏装置及制造方法。光伏装置包括衬底结构和至少一个含Se层，例如CdSeTe层。制造所述光伏装置的方法包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和蒸气传输沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSeTe层。所述方法还可包括控制所述含Se层的厚度范围。