公开(公告)号：CN109638094A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811472130.X

申请日：2018-12-04

申请人： 江苏爱康能源研究院有限公司

发明人： 郭小勇 ,  易治凯 ,  汪涛 ,  王永谦

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202

摘要： 本发明涉及的一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片（1），所述N型晶体硅片（1）的正面和背面均设有多层非晶硅本征层；所述第二层非晶硅本征层（3）的外侧设有非晶硅掺杂层（4），所述非晶硅掺杂层（4）的外侧设有TCO导电膜（5），所述TCO导电膜（5）的外侧设有若干Ag电极（6）。本发明的非晶硅本征层采用叠层，第一层采用纯硅烷沉积，有效了避免晶体硅/非晶硅界面初始沉积的外延生长，第二层采用高氢稀释的硅烷沉积，提高了第一层非晶硅的薄膜氢含量，同时增强了界面钝化。

公开(公告)号：CN106784110A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611173877.6

申请日：2016-12-16

申请人： 上海电机学院

发明人： 王珺 ,  郭群超 ,  朱红英 ,  丁云飞 ,  朱晨烜

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/076

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076

摘要： 本发明公开了一种基于低价晶硅片的叠层太阳能光伏电池，包括位于下层的PN单结晶硅电池、以及位于上层的PIN非晶硅薄膜电池，所述PN单结晶硅电池和PIN非晶硅薄膜电池通过外延技术沉积的晶硅层。本发明能够在保持高转化效率的前提下适合大规模工业生产，将低纯度廉价材料作为电池生产材料，大幅降低材料成本，从而降低整个电池成本。

公开(公告)号：CN106252424A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610713825.7

申请日：2016-08-24

申请人： 常州天合光能有限公司

发明人： 孙晨光 ,  包健

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

摘要： 本发明公开了一种热氧化改善钝化层截面的异质结太阳电池，包括：晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面，其特征在于：在晶体硅衬底1）的正面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、正面掺杂层（4）、透明导电薄膜层（5）以及正面金属栅线（6）；在晶体硅衬底（1）的背面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、背面掺杂层（7）、透明导电薄膜层（5）以及背面金属栅线（8）。本发明还公开了上述异质结太阳电池的制备方法。本发明能改善单晶硅片表面缺陷，获得更好的钝化效果，提高少子寿命，增大电池的转换效率。

公开(公告)号：CN102403400B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110268104.7

申请日：2011-09-09

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 杨澈勋

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0468 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供一种薄膜型太阳能电池的制造装置及其制造方法，该薄膜太阳能电池装置包括：在基板上形成第一电极的第一电极形成部；去除部分第一电极形成第一分隔部的电极分隔部；包括第一电极和第一电极分隔部的基板上，形成光电转换层的光电转换形成部；去除部分第一电极上的光电转换层，形成接触线的接触线形成部；光电转换层上形成通过接触线与第一电极连接且通过第二分隔部被分隔的第二电极的印刷部；以及通过湿式及蚀刻工序去除第二分隔部内的光电转换层且露出第二分隔部内第一电极的蚀刻工序部。

公开(公告)号：CN102668115B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080048224.X

申请日：2010-09-21

申请人： 纳克公司

发明人： 刘国钧 ,  克利福德·M·莫里斯 ,  伊戈尔·奥尔特曼 ,  乌马·斯里尼瓦桑 ,  希夫库马尔·基鲁沃卢

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种高品质硅墨水，用于形成具有p-n结的薄膜太阳能电池内的多晶层。可烧结随墨水沉积的粒子以形成硅膜，该硅膜可为本征膜或掺杂膜。硅墨水可具有不超过约250nm的z平均二次粒径，该粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定，如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比。在一些实施例中，本征层可为非晶硅部分与晶体硅部分的复合物。

公开(公告)号：CN104867998A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510311545.9

申请日：2015-06-09

申请人： 厦门神科太阳能有限公司

发明人： 李艺明 ,  邓国云 ,  田宏波

IPC分类号： H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  H01L31/076

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1844

摘要： 本发明涉及一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池的背电极包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的绝缘薄膜层，所述绝缘薄膜层上分布有很多个不规则的孔洞，使光吸收层与背电极层实现点接触。这种点接触结构不妨碍光生电流的通过，又可达到降低界面缺陷态密度，降低光生载流子的表面复合速率，从而提高薄膜太阳能电池的开路电压。

公开(公告)号：CN102832117B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210195820.1

申请日：2012-06-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·W·贝德尔 ,  D·A·萨达纳 ,  D·沙杰迪

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/304 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

公开(公告)号：CN104617176A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510070352.9

申请日：2015-02-10

申请人： 陕西师范大学

发明人： 刘生忠 ,  贾露建

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种结构简单，转换效率高量子效率高，能够显著提高短路电流，开路电压没有明显降低，电池效率高的硅基薄膜太阳能电池及其制备方法。所述硅基薄膜太阳能电池，包括在硅基薄膜太阳能电池p/i层或n/i层界面±10nm范围内分布的金属纳米颗粒。所述的其制备方法，将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行薄膜太阳能电池的n层、i层和p层沉积；并在电池的p/i层界面或者n/i层界面中制备金属纳米颗粒；最后沉积ITO电极得到硅基薄膜太阳能电池。通过在硅基薄膜太阳能电池单个层间界面处加入金属纳米颗粒，通过金属纳米颗粒产生量子限域效应，使得反射率下降，量子效率明显改善，短路电流密度提高了9.5％。

公开(公告)号：CN104576802A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410829968.5

申请日：2014-12-26

申请人： 电子科技大学

发明人： 王超 ,  杨萍 ,  姜晶 ,  栾春红 ,  梁莹林 ,  高阳 ,  张晨贵

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/076 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明提供了一种基于硅薄膜和硅纳米线异质结的复合电池及其制备方法，属于新能源太阳能电池技术领域。包括自下而上依次设置的衬底、n型硅薄膜层、第一本征硅薄膜层、第一p型硅薄膜层、n型硅纳米线阵列层、第二本征硅薄膜层、第二p型硅薄膜层和透明导电薄膜层，其中，所述n型硅薄膜层、第一本征硅薄膜层、第一p型硅薄膜层自下而上依次平行设置于衬底之上，所述n型硅纳米线阵列层中的硅纳米线垂直于所述第一p型硅薄膜层，所述第二本征硅薄膜层、第二型硅薄膜层和透明导电薄膜层自下而上依次覆盖所述n型硅纳米线阵列层。本发明提供的复合电池可同时提高电池的短路电流和开路电压，增加电池的转换效率，优化电池的性能。

公开(公告)号：CN102138221B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200980133876.0

申请日：2009-08-24

申请人： 株式会社钟化

发明人： 佐佐木敏明 ,  门田直树

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 在以往的将非晶锗或者结晶硅用于光电转换层的薄膜光电转换装置中，存在无法将1100nm以上的长波长光利用于光电转换、转换效率的提高不充分的课题。本发明利用薄膜光电转换装置来解决所述课题，其特征在于：所述薄膜光电转换装置包括1个以上在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n型的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm-1。另外，通过特征在于所述结晶锗半导体的波数为960±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足3500cm-1的薄膜光电转换装置来解决所述课题。