公开(公告)号：CN102832115B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210196194.8

申请日：2012-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  K·E·佛格尔 ,  P·A·劳罗 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/50 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及受控层传送的方法。该方法包括向基底基板提供应激层。应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分。然后，在基底基板的应激层部分上面施加散裂抑制体，然后，从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分。然后从原始的基底基板散裂位于应激层部分下面的基底基板的一部分。散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体。在散裂之后，从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。

公开(公告)号：CN100345246C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03147500.0

申请日：2003-07-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·拜戴尔 ,  K·E·福格尔 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/933

Abstract: 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。

公开(公告)号：CN1492476A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03147500.0

申请日：2003-07-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·拜戴尔 ,  K·E·福格尔 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/933

Abstract: 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。

公开(公告)号：CN102832117A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210195820.1

申请日：2012-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  D·A·萨达纳 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/304 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

公开(公告)号：CN100583445C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200710136480.4

申请日：2003-07-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·拜戴尔 ,  K·E·福格尔 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/933

Abstract: 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。

公开(公告)号：CN102832117B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210195820.1

申请日：2012-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  D·A·萨达纳 ,  D·沙杰迪

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/304 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

公开(公告)号：CN102832115A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210196194.8

申请日：2012-06-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·贝德尔 ,  K·E·佛格尔 ,  P·A·劳罗 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/50 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及受控层传送的方法。该方法包括向基底基板提供应激层。应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分。然后，在基底基板的应激层部分上面施加散裂抑制体，然后，从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分。然后从原始的基底基板散裂位于应激层部分下面的基底基板的一部分。散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体。在散裂之后，从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。

公开(公告)号：CN101101915A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710136480.4

申请日：2003-07-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·拜戴尔 ,  K·E·福格尔 ,  D·A·萨达纳

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/933

Abstract: 提供一种形成驰豫的绝缘体上SiGe衬底的方法，该衬底具有增强的驰豫、显著降低的缺陷密度和改进的表面质量。该方法包括在第一单晶Si层的表面上形成SiGe合金层。该第一单晶Si层与下面的阻挡层具有界面，该阻挡层抗Ge扩散。然后，在所述界面处或其附近将能够形成缺陷的离子注入到结构中，该缺陷允许机械退耦，此后对包括注入离子的结构进行加热步骤，允许Ge互扩散到整个第一单晶Si层和SiGe层，以便在阻挡层的顶上形成显著驰豫的、单晶和均匀的SiGe层。还提供了具有改进性能的绝缘体上SiGe衬底以及包含该衬底的异质结构。