公开(公告)号：CN109638103A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811590959.X

申请日：2018-12-25

申请人： 中智(泰兴)电力科技有限公司

发明人： 黄海宾 ,  吴小元 ,  何学勇 ,  梁栋 ,  王月斌 ,  徐昕 ,  王磊 ,  彭德香 ,  周浪

IPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明涉及一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构，其特征在于：硅片结构的迎光面和背光面结构不同，所述迎光面为金字塔绒面结构，所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。全过程采用链式清洗机制绒方式，在槽式制绒后采用湿化学刻蚀的方法对背光面进行刻蚀，实现金字塔绒面结构的增大或者抛光，然后进行RCA清洗、HF去自然氧化层和慢提拉、烘干。针对双面进光特性的不同对迎光面和背光面绒面结构分别进行设计，并解决差异化的绒面结构的生产制造问题，提供一种简化工艺，能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。

公开(公告)号：CN105556680B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201480035698.9

申请日：2014-05-22

申请人： 王士原 ,  王士平

发明人： 王士原 ,  王士平

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L31/035272 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12176 ,  H01L23/66 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0284 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2223/6627 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。

公开(公告)号：CN104396024B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280071731.4

申请日：2012-12-19

申请人： 太阳能公司

发明人： 理查德·M·斯万森 ,  马里乌斯·M·布内亚 ,  大卫·D·史密斯 ,  沈于甄 ,  彼得·J·卡曾斯 ,  蒂姆·丹尼斯

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明描述了具有由宽带隙半导体材料构成的发射极区域的太阳能电池。在一个实例中，一种方法包括在具有受控气氛的处理设备中，在所述太阳能电池的半导体基板的表面上形成薄电介质层。所述半导体基板具有带隙。在不将所述半导体基板从所述处理设备的受控气氛中移除的情况下，在所述薄电介质层上形成半导体层。所述半导体层具有比所述半导体基板的带隙高至少约0.2电子伏特(eV)的带隙。

公开(公告)号：CN106165109A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016383.4

申请日：2015-03-20

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 芝和宏

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/109

CPC分类号： G02B6/4295 ,  G02B6/00 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4208 ,  G02B6/4215 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/109 ,  H04B10/61

摘要： 本发明的目的是提供光接收元件等，在所述光接收元件中，能够以容易的方式吸收和透射光。所述光接收元件具有下述：透镜部，所述透镜部集聚输入的光并且从出射表面输出所述光；吸收层，所述吸收层被放置在透镜部的输出表面上，吸收一些集聚的光，并透射剩下的集聚光；和检测层，所述检测层层叠到吸收层，并且基于吸收层吸收的光的强度检测透镜部输出的光的强度。

公开(公告)号：CN102959738B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180032856.1

申请日：2011-07-20

申请人： 太阳能公司

发明人： 大卫·史密斯 ,  刘海宁 ,  蒂姆·丹尼斯 ,  简·曼宁 ,  阮信晓 ,  安·瓦尔德豪尔 ,  吉娜维芙·A·所罗门 ,  布伦达·帕古拉彦·马尔加普 ,  约瑟夫·拉米雷

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/062 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。

公开(公告)号：CN104956496A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380068374.0

申请日：2013-06-27

申请人： 庆熙大学校产学协力团

发明人： 崔石镐 ,  金成 ,  金昌伍

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/547

摘要： 由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p-n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p-n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p-n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN102832117B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210195820.1

申请日：2012-06-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·W·贝德尔 ,  D·A·萨达纳 ,  D·沙杰迪

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/304 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。然后对于锗基板的锗和锡合金层选择锗基板的切割表面。在另一实施例中，锗和锡合金层可用作剥离方法中的断裂面。

公开(公告)号：CN102856328B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210381952.3

申请日：2012-10-10

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 陈芃 ,  梁硕玮

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明可以提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN104681653A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310613326.7

申请日：2013-11-27

申请人： 上海建冶科技工程股份有限公司

发明人： 宋太伟

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0352

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0745

摘要： 一种多结层状薄膜太阳能电池，包括顶层和末层的正、负电极层，在顶层电极层与末层电极层之间设有多个PN结薄膜层，各PN结薄膜层之间设有连接层。本发明是基于碳、硅等普通绿色材料的、高光电转换效率的太阳能薄膜叠层电池，应用前景无限。

公开(公告)号：CN103855229A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210520713.1

申请日：2012-12-06

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 魏峰 ,  曾亭 ,  杜军 ,  熊玉华

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件，包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料，阻挡功能层材料由一层金属氧化物薄膜。本发明采用某些金属氧化物薄膜作为阻挡功能层，利用氧化物薄膜材料的高透光度和阻挡空穴传输电子的功能，获得了具有提高光电效应的石墨烯基半导体异质结器件。本发明的光电器件具有制备方法简单、光电转换效率明显提高并且与新型的石墨烯材料相兼容等优点。