公开(公告)号：CN108470780A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810208027.8

申请日：2018-03-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 廖小平 ,  陈友国

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0392 ,  H01L35/32 ,  H02S10/30 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/028 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L35/32 ,  H02S10/30

Abstract: 本发明的射频收发机中长条型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机，衬底为N型硅片，制作有非晶硅(a-Si)薄膜、绒面和背电结结构，正负电极如图2所示进行连接，然后制备了第一氮化硅隔离层，用于隔离热电光电。热电式发电机的主要单元为热电堆，热电堆是由一系列的P型多晶硅纳米线簇和N型多晶硅纳米线簇构成的，溅射一层金属Ti/Au层作为热电堆电极，串联得到如图3所示的热电堆结构，最后PECVD生长第二氮化硅隔离层，电镀一层厚度Al金属层作为器件的散热板。本发电机采用纳米硅薄膜，其热导率远低于传统体材料，可以实现一边维持电子运输，一边抑制热量输送，从而极大的提高了热电发电效率，在热电发电实用化上具有重要意义。

公开(公告)号：CN107785454A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610726274.8

申请日：2016-08-25

Applicant: 西藏民族大学

Inventor： 乔丽萍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/03921

Abstract: 本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长SiO2层；将整个衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；去除SiO2层；掺杂形成P型晶化Ge层；生长本征GeSn层及N型Ge层、SiO2钝化层及Cr/Au层；利用CMP工艺进行处理后形成光电探测器。本发明采用的激光晶化工艺具有选择性高，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点；通过连续激光辅助晶化Ge/Si虚衬底，可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷从而降低了GeSn光电探测器暗电流。

公开(公告)号：CN105322037B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510303483.7

申请日：2015-06-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小卷壮 ,  藤冈裕一 ,  师冈久雄 ,  山田宽

IPC: H01L31/048 ,  G04C10/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H01L31/046

CPC classification number: H01L31/048 ,  B32B17/00 ,  G04C10/02 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2‑C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。

公开(公告)号：CN103283032B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201180058878.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 韦克森林大学

Inventor： 戴维·L·卡罗尔

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/054 ,  G02B6/06

CPC classification number: H01L31/1804 ,  G02B6/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52

Abstract: 在一方面，本文描述了光电装置。在一些实施方式中，光电装置包括纤维芯、围绕所述纤维芯的辐射传送型第一电极，围绕所述第一电极并电连接至所述第一电极的至少一个感光性无机层，以及围绕所述无机层并电连接至所述无机层的第二电极。在一些实施方式中，所述装置包括光电电池。

公开(公告)号：CN104956496B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201380068374.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 庆熙大学校产学协力团

Inventor： 崔石镐 ,  金成 ,  金昌伍

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/547

Abstract: 由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p‑n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p‑n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p‑n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN103999242B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201380004306.8

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇津恒 ,  寺下彻 ,  足立大辅 ,  吉见雅士 ,  何塞·路易斯埃尔南德斯

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在本发明中，提供转换效率高、光入射面被精密加工的晶体硅太阳能电池的制造方法。该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序，在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后，进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序，绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。

公开(公告)号：CN102812563B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180009261.4

申请日：2011-02-10

Applicant: 塔塔钢铁荷兰科技有限责任公司

Inventor： J·W·H·范科雷维尔 ,  A·J·M·维格切特 ,  G·帕拉尼斯瓦米

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/056

CPC classification number: H01L51/447 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L2251/105 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及用于在金属衬底上制备太阳能电池的层叠系统，以及制备所述层叠系统的方法。

公开(公告)号：CN103476579B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280015972.7

申请日：2012-03-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 上林浩行 ,  冢村裕介 ,  渡边修

IPC: B32B9/00

CPC classification number: H01L23/296 ,  C09D1/00 ,  H01L23/564 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/048 ,  H01L33/54 ,  H01L51/5253 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性，且阻气性的重复再现性优异的阻气性膜。该阻气性膜是在高分子基材的至少一个面上依次层合了以下的[A]层和[B]层而形成的，[A]层：铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层，[B]层：厚度为10～1000nm的含硅无机层。

公开(公告)号：CN102484149B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200980161223.3

申请日：2009-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  山县有辅

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0527 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 在具备将光变换为电的光电变换层(4)、和设置于所述光电变换层(4)的与光入射侧相反的一侧而使通过了所述光电变换层(4)的光反射到所述光电变换层侧的反射电极(5b)的太阳能电池(1)中，为了实现粘接性以及热耐蚀性优良、并且具有稳定的电特性以及良好的光反射特性的反射电极，来得到可靠性高、且电特性以及光学特性优良的太阳能电池，所述反射电极(5b)在所述光电变换层(4)侧具有以银为主成分并含有氮而成的金属层(5b)。

公开(公告)号：CN104303321A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024927.2

申请日：2013-06-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·E·福格尔 ,  A·J·宏 ,  金志焕 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于形成光伏器件的方法，包括，通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺，在衬底上沉积(302)光伏叠层的一个或多个层。在所述光伏叠层上形成接触(306)，以提供光伏电池。在配置为改善总性能的温度和时长下，在所述光伏电池上进行退火(310)。