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公开(公告)号：CN109476121A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045899.0
申请日：2017-08-16
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种层叠体，特征在于，在温度23℃、湿度60％下保管48小时后的卷曲量为3mm以下，在高分子基材的至少一个面具有[A]层(厚度低于50nm、并且含有锌化合物的层)。本发明能够提供相对于水蒸气等具有高度阻气性、并具有卷曲减少的优异平面性的层叠体，可以用作例如，食品、药品等的包装材和薄型电视、太阳能电池等电子器件用零件。
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公开(公告)号：CN103476579A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015972.7
申请日：2012-03-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B32B9/00
CPC classification number: H01L23/296 , C09D1/00 , H01L23/564 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03926 , H01L31/048 , H01L33/54 , H01L51/5253 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , Y10T428/24355 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性，且阻气性的重复再现性优异的阻气性膜。该阻气性膜是在高分子基材的至少一个面上依次层合了以下的[A]层和[B]层而形成的，[A]层：铅笔硬度为H以上且表面自由能为45mN/m以下的交联树脂层，[B]层：厚度为10～1000nm的含硅无机层。
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公开(公告)号：CN112839798B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980066861.0
申请日：2019-10-04
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，上述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，上述A层表面的通过原子力显微镜(AFM)算出的算术平均粗糙度Ra为5.0nm以下。提供低成本并且即使为简单的构成也具有高度的阻气性的叠层体。
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公开(公告)号：CN103764387B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201280042577.8
申请日：2012-09-04
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , B32B9/00 , C23C14/06 , C23C14/0629 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/45555 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的是提供一种高气体阻隔性、并且气体阻隔性的反复再现性优异的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜，其特征在于，是在高分子膜基材的至少一面依次配置有3个无机化合物层即［A］层、［B］层、［C］层的气体阻隔性膜，所述［B］层的厚度为0.2～20nm，且密度比［A］层和［C］层的任何一个的密度都高。
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公开(公告)号：CN103764387A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042577.8
申请日：2012-09-04
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , B32B9/00 , C23C14/06 , C23C14/0629 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/3407 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/45555 , Y10T428/24992
Abstract: 本发明的目的是提供一种高气体阻隔性、并且气体阻隔性的反复再现性优异的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜，其特征在于，是在高分子膜基材的至少一面依次配置有3个无机化合物层即［A］层、［B］层、［C］层的气体阻隔性膜，所述［B］层的厚度为0.2～20nm，且密度比［A］层和［C］层的任何一个的密度都高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102202886A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980144298.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B32B27/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/082 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2250/03 , B32B2250/24 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2439/00 , B32B2553/00 , C08J7/045 , C08J2333/20 , C08K5/0025 , C08K5/10 , C08K5/16 , C08K5/29 , C08K5/54 , C08K2201/008 , C08L33/04 , C08L33/06 , C08L33/066 , C08L33/12 , C08L33/18 , C08L33/20 , C08L2201/14 , C09D133/04 , C09D133/06 , C09D133/066 , C09D133/12 , C09D133/18 , C09D133/20 , Y10T428/1334 , Y10T428/1338 , Y10T428/1341 , Y10T428/1352 , Y10T428/1355 , Y10T428/1379 , Y10T428/1383 , Y10T428/31797
Abstract: 本发明涉及一种气体阻隔性膜，是在由聚酯膜形成的基材膜的至少一面上依次层合由无机化合物构成的蒸镀层和气体阻隔层的气体阻隔性膜，上述气体阻隔层由下述混合物形成，所述混合物含有：主剂，所述主剂由共聚物构成，所述共聚物以在共聚物中所占比例为10～30质量％的(a)不饱和腈和在共聚物中所占比例为30～70质量％的(b)具有羟基的不饱和化合物至少2种成分作为单体；(c)由具有异氰酸酯基的化合物构成的固化剂；(d)具有2个以上羧基或1个以上羧酸酐基的化合物。
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公开(公告)号：CN112839798A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066861.0
申请日：2019-10-04
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种叠层体，其在基材的至少一侧具有A层，上述A层包含选自周期表的第IIA、IIIB、IVB、VB、IIB、IIIA和IVA族的元素中的至少2种元素、以及氧，上述A层表面的通过原子力显微镜(AFM)算出的算术平均粗糙度Ra为5.0nm以下。提供低成本并且即使为简单的构成也具有高度的阻气性的叠层体。
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公开(公告)号：CN109476121B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780045899.0
申请日：2017-08-16
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 一种层叠体，特征在于，在温度23℃、湿度60％下保管48小时后的卷曲量为3mm以下，在高分子基材的至少一个面具有[A]层(厚度低于50nm、并且含有锌化合物的层)。本发明能够提供相对于水蒸气等具有高度阻气性、并具有卷曲减少的优异平面性的层叠体，可以用作例如，食品、药品等的包装材和薄型电视、太阳能电池等电子器件用零件。
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公开(公告)号：CN108503870B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810245065.0
申请日：2013-12-25
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高度的阻气性，并且耐弯曲性优异的阻气性膜。本发明的阻气膜，其特征在于，是在高分子基材的至少一侧，从上述高分子基材侧起依次具有无机层[A]和硅化合物层[B]的阻气性膜，无机层[A]包含锌化合物和硅氧化物，硅化合物层[B]包含硅氧氮化物，并且无机层[A]与硅化合物层[B]接触。
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公开(公告)号：CN105934338B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201580004314.1
申请日：2015-01-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C23C28/00 , C08J7/045 , C08J2367/02 , C08J2375/04 , C23C14/08 , C23C16/401 , C23C28/04
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高度的阻气性的阻气性膜。本发明的阻气膜在高分子基材的至少一面具有阻气层，所述阻气层从高分子基材起依次相接配置有包含氧化锌和二氧化硅的第1层与包含硅化合物的第2层，通过X射线光电子能谱法测定得到的第1层与第2层的界面的Si2p轨道的结合能大于第1层的Si2p轨道的结合能，并且小于第2层的Si2p轨道的结合能。
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