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    层积型光电变换装置
    1.
    发明授权
    层积型光电变换装置 有权 诉讼 无效申请 无效口审

    公开(公告)号：CN100420039C

    公开(公告)日：2008-09-17

    申请号：CN200480001413.6

    申请日：2004-07-15

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 佐佐木敏明 ,  小井洋平 ,  山本宪治 ,  吉见雅士 ,  市川满

    IPC分类号： H01L31/075

    CPC分类号： Y02E10/50

    摘要： 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子%～60原子%的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

    薄膜光电转换装置
    3.
    发明公开
    薄膜光电转换装置 有权

    公开(公告)号：CN1748322A

    公开(公告)日：2006-03-15

    申请号：CN200480004033.8

    申请日：2004-05-28

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 末崎恭 ,  吉见雅士 ,  佐佐木敏明 ,  多和田裕子 ,  山本宪治

    IPC分类号： H01L31/04

    CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/548

    摘要： 本发明提供一种薄膜光电转换装置，特别是提供一种集成化薄膜光电转换装置，其在包含结晶硅光电转换单元的薄膜光电转换装置中，通过不使开放端电压和填充因数变小来改善光电转换效率。本发明的薄膜光电转换装置，是在透明基板一侧的主面上至少把透明电极膜、结晶硅光电转换单元和背面电极膜顺序形成的薄膜光电转换装置，形成所述结晶硅光电转换单元后，在其表面的一部分上具有白浊变色区域。所述白浊变色区域最好是小于或等于光电转换区域面积的5％。而且最好是制成集成化薄膜光电转换装置。

    光电转换装置的制造方法
    4.
    发明公开
    光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108475707A

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201680075001.X

    申请日：2016-12-06

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 宇都俊彦 ,  吉见雅士

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

    摘要： 在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。

    层积型光电变换装置
    6.
    发明公开
    层积型光电变换装置 有权 诉讼 无效申请 无效口审

    公开(公告)号：CN1706050A

    公开(公告)日：2005-12-07

    申请号：CN200480001413.6

    申请日：2004-07-15

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 佐佐木敏明 ,  小井洋平 ,  山本宪治 ,  吉见雅士 ,  市川满

    IPC分类号： H01L31/075

    CPC分类号： Y02E10/50

    摘要： 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

    光电转换装置的制造方法
    7.
    发明授权
    光电转换装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103119727B

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201180045445.6

    申请日：2011-08-31

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 吉见雅士 ,  市川满 ,  宇都俊彦 ,  山本宪治

    IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

    制造串联型薄膜光电转换器件的方法
    10.
    发明授权
    制造串联型薄膜光电转换器件的方法 失效

    公开(公告)号：CN100355091C

    公开(公告)日：2007-12-12

    申请号：CN03808022.2

    申请日：2003-04-02

    申请人： 株式会社钟化

    发明人： 吉见雅士 ,  末崎恭 ,  山本宪治

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/075

    CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： 一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底(1)上形成至少一个光电转换单元(3)；将具有该光电转换单元(3)的衬底(1)从膜沉积系统取出到空气中；衬底(1)被插入膜沉积系统中，并且在氢气以及包含与衬底(1)上的光电转换单元(3)的最高导电型层(33)相同类型的导电型确定杂质元素的气体的混合环境中，衬底(1)经过等离子暴露；通过附加供应半导体材料气体给膜沉积系统，形成导电型中间层(5)；然后形成下一个光电转换单元(4)。