公开(公告)号：CN103999242B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201380004306.8

申请日：2013-09-30

申请人： 株式会社钟化

发明人： 宇津恒 ,  寺下彻 ,  足立大辅 ,  吉见雅士 ,  何塞·路易斯埃尔南德斯

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 在本发明中，提供转换效率高、光入射面被精密加工的晶体硅太阳能电池的制造方法。该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序，在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后，进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序，绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。

公开(公告)号：CN103999242A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201380004306.8

申请日：2013-09-30

申请人： 株式会社钟化

发明人： 宇津恒 ,  寺下彻 ,  足立大辅 ,  吉见雅士 ,  何塞·路易斯埃尔南德斯

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 在本发明中，提供转换效率高、光入射面被精密加工的晶体硅太阳能电池的制造方法。该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序，在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后，进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序，绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。