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公开(公告)号：CN108431967B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201680075334.2
申请日：2016-12-06
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 在晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板(1)上形成第一本征薄膜(121)后进行氢等离子体蚀刻。在氢等离子体蚀刻后的第一本征薄膜(121)上形成第二本征薄膜(122)，在其上形成导电型硅系薄膜(15)。第二本征薄膜(122)是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的。第二本征薄膜(122)形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。
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公开(公告)号：CN107710419B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680037919.5
申请日：2016-06-30
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0747
摘要： 本发明的太阳能电池具有：在光电转换部(50)的背面具有背面电极(9)的电池主体部(100)和以与电池主体部的背面电极接触的方式配置的金属膜(17)。背面电极上设置有算术平均粗糙度大于0.1μm的凹凸结构。金属膜的与背面电极的接触面的算术平均粗糙度大于0.1μm。金属膜是以覆盖电池主体部的背面的面积的10％以上的区域的方式设置的。
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公开(公告)号：CN107318269B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201680007769.3
申请日：2016-03-10
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 太阳能电池(100)在光电转换部(50)的第一主面上具备第一金属籽晶层(71)以及第一镀覆层(72)，在光电转换部(50)的第二主面上具备第二金属籽晶层(81)，在光电转换部(50)的第二主面的周缘以及侧面上具备第三金属籽晶层(91)以及第三镀覆层(92)。第一金属籽晶层(71)与第三金属籽晶层(91)导通，第二金属籽晶层(81)与第三金属籽晶层(91)不导通。通过对第一金属籽晶层(71)以及第三金属籽晶层(91)中的至少一方进行供电，能够同时形成第一镀覆层(72)以及第三镀覆层(92)。
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公开(公告)号：CN106463561B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201580022564.8
申请日：2015-04-09
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/0747
摘要： 本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11)，在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。
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公开(公告)号：CN106463561A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022564.8
申请日：2015-04-09
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/03529 , H01L31/0504 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。(4)及图案集电极(11)，在第二主面(52)上具备
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公开(公告)号：CN114450808B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080067000.7
申请日：2020-09-23
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供一种能够简化透明电极层的形成的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法依次包含：在基板(11)的表面侧形成导电型半导体层(25、35)的工序、在导电型半导体层(25、35)上形成透明导电膜的工序、在导电型半导体层(25、35)上形成金属电极层(29、39)的工序、以及使透明导电膜图案化而形成透明电极层(28、38)的工序。金属电极层形成工序中，印刷印刷材料并使其固化，在金属电极层(29、39)的周边形成树脂材料分布不均而成的树脂膜(40)，金属电极层(29、39)中，上层金属电极层(29u、39u)的印刷材料中含有的金属材料的比例比下层金属电极层(29l、39l)的印刷材料中含有的金属材料的比例更少，透明电极层形成工序中，将金属电极层(29)及其周边的树脂膜(40)和金属电极层(39)及其周边的树脂膜(40)作为掩模，使透明导电膜图案化。
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公开(公告)号：CN117157771A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280026461.9
申请日：2022-03-28
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/0747
摘要： 本发明提供能够提高性能的太阳能电池。太阳能电池(1)是背面接合型的太阳能电池，具备半导体基板(11)、在作为半导体基板(11)的背面侧的一部分的第1区域(7)层叠的第1半导体层(25、23)以及在作为半导体基板(11)的背面侧的另一部分的第2区域(8)层叠的第2半导体层(35、33)，在第2区域(8)中，在半导体基板(11)与第2半导体层(35、33)之间的一部分存在第1半导体层(25、23)，第1半导体层(25、23)是海岛构造中的海形状。
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公开(公告)号：CN114649441B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111551835.2
申请日：2021-12-17
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/033
摘要： 提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。
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公开(公告)号：CN109690791B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201780039785.5
申请日：2017-06-28
申请人： 株式会社钟化
发明人： 足立大辅
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 一种晶体硅系太阳能电池，在晶体硅基板(1)的一个主面从晶体硅基板侧起依次具备本征硅系薄膜(21)和导电型硅系薄膜(22)。晶体硅基板在表面具有金字塔状的凹凸结构。设置于凹凸的顶部上的硅系薄膜的膜厚小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。优选设置于凹凸的谷部上的硅系薄膜的膜厚也小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN114450808A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067000.7
申请日：2020-09-23
申请人： 株式会社钟化
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供一种能够简化透明电极层的形成的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法依次包含：在基板(11)的表面侧形成导电型半导体层(25、35)的工序、在导电型半导体层(25、35)上形成透明导电膜的工序、在导电型半导体层(25、35)上形成金属电极层(29、39)的工序、以及使透明导电膜图案化而形成透明电极层(28、38)的工序。金属电极层形成工序中，印刷印刷材料并使其固化，在金属电极层(29、39)的周边形成树脂材料分布不均而成的树脂膜(40)，金属电极层(29、39)中，上层金属电极层(29u、39u)的印刷材料中含有的金属材料的比例比下层金属电极层(29l、39l)的印刷材料中含有的金属材料的比例更少，透明电极层形成工序中，将金属电极层(29)及其周边的树脂膜(40)和金属电极层(39)及其周边的树脂膜(40)作为掩模，使透明导电膜图案化。
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