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公开(公告)号：CN114649441B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111551835.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。
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公开(公告)号：CN113632245B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202080023573.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法。提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面接合型的太阳能电池的制造方法，包含第一半导体层材料膜形成工序、剥离层形成工序、第一半导体层形成工序、第二半导体层材料膜形成工序以及第二半导体层形成工序。第二半导体层形成工序包含至少一次蚀刻工序，将半导体基板浸渍在用于除去剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将半导体基板浸渍在用于冲洗半导体基板的表面的冲洗溶液。在蚀刻工序以及冲洗工序中的至少一个工序中，向溶液添加附着抑制剂，该附着抑制剂抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于半导体基板的主面。
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公开(公告)号：CN114649441A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111551835.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。
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公开(公告)号：CN113632245A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023573.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法。提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面接合型的太阳能电池的制造方法，包含第一半导体层材料膜形成工序、剥离层形成工序、第一半导体层形成工序、第二半导体层材料膜形成工序以及第二半导体层形成工序。第二半导体层形成工序包含至少一次蚀刻工序，将半导体基板浸渍在用于除去剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将半导体基板浸渍在用于冲洗半导体基板的表面的冲洗溶液。在蚀刻工序以及冲洗工序中的至少一个工序中，向溶液添加附着抑制剂，该附着抑制剂抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于半导体基板的主面。
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