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公开(公告)号：CN113678265B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202080024664.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。
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公开(公告)号：CN111095571B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880058091.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，太阳能电池(1)具备：半导体基板(11)，其在背面侧具有凹凸结构；第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27)，其层叠在半导体基板(11)的背面侧；以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37)，太阳能电池(1)的制造方法包含：电极材料膜形成工序，在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上，使用物理气相生长法形成电极材料膜；以及图案化工序，进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37)，在电极材料膜形成工序中，一边在X方向上搬运半导体基板(11)，一边形成电极材料膜。
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公开(公告)号：CN113678265A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080024664.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。
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公开(公告)号：CN109643739A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051332.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池(100)在具有第一主面以及第二主面的矩形的半导体基板的第二主面具有第一导电型区域以及第二导电型区域。在半导体基板的第一方向中央区域(YC)中，沿着第二方向交替地配置有沿第一方向延伸的带状的第一导电型区域(111)和沿第一方向延伸的带状的第二导电型区域(112)。在第一方向端部区域(YE1、YE2)中，沿着第一方向交替地配置有沿第二方向延伸的带状的第一导电型区域(116a、118a)和沿第二方向延伸的带状的第二导电型区域(117a)，沿着第一方向配置有至少2个第一导电型区域。
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公开(公告)号：CN111095571A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058091.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，太阳能电池(1)具备：半导体基板(11)，其在背面侧具有凹凸结构；第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27)，其层叠在半导体基板(11)的背面侧；以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37)，太阳能电池(1)的制造方法包含：电极材料膜形成工序，在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上，使用物理气相生长法形成电极材料膜；以及图案化工序，进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37)，在电极材料膜形成工序中，一边在X方向上搬运半导体基板(11)，一边形成电极材料膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431099B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680015204.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种太阳能电池用的单晶硅基板。在本发明的方法中，使单晶硅基板的表面与碱溶液接触，在单晶硅基板的表面形成纹理，使单晶硅基板的表面与酸性溶液接触，实施酸处理，然后，使单晶硅基板的表面与臭氧水接触，实施臭氧处理。用于酸处理的酸性溶液为盐酸。优选通过将单晶硅基板浸渍于臭氧水浴而实施臭氧处理。
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公开(公告)号：CN107431099A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015204.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种太阳能电池用的单晶硅基板。在本发明的方法中，使单晶硅基板的表面与碱溶液接触，在单晶硅基板的表面形成纹理，使单晶硅基板的表面与酸性溶液接触，实施酸处理，然后，使单晶硅基板的表面与臭氧水接触，实施臭氧处理。用于酸处理的酸性溶液为盐酸。优选通过将单晶硅基板浸渍于臭氧水浴而实施臭氧处理。
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公开(公告)号：CN101889351A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119525.X
申请日：2008-12-05
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的背面电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。
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公开(公告)号：CN113632245B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202080023573.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法。提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面接合型的太阳能电池的制造方法，包含第一半导体层材料膜形成工序、剥离层形成工序、第一半导体层形成工序、第二半导体层材料膜形成工序以及第二半导体层形成工序。第二半导体层形成工序包含至少一次蚀刻工序，将半导体基板浸渍在用于除去剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将半导体基板浸渍在用于冲洗半导体基板的表面的冲洗溶液。在蚀刻工序以及冲洗工序中的至少一个工序中，向溶液添加附着抑制剂，该附着抑制剂抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于半导体基板的主面。
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公开(公告)号：CN113632245A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023573.X
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法。提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面接合型的太阳能电池的制造方法，包含第一半导体层材料膜形成工序、剥离层形成工序、第一半导体层形成工序、第二半导体层材料膜形成工序以及第二半导体层形成工序。第二半导体层形成工序包含至少一次蚀刻工序，将半导体基板浸渍在用于除去剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将半导体基板浸渍在用于冲洗半导体基板的表面的冲洗溶液。在蚀刻工序以及冲洗工序中的至少一个工序中，向溶液添加附着抑制剂，该附着抑制剂抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于半导体基板的主面。
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