-
公开(公告)号：CN111095571B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880058091.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，太阳能电池(1)具备：半导体基板(11)，其在背面侧具有凹凸结构；第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27)，其层叠在半导体基板(11)的背面侧；以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37)，太阳能电池(1)的制造方法包含：电极材料膜形成工序，在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上，使用物理气相生长法形成电极材料膜；以及图案化工序，进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37)，在电极材料膜形成工序中，一边在X方向上搬运半导体基板(11)，一边形成电极材料膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710419B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680037919.5
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/02 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的太阳能电池具有：在光电转换部(50)的背面具有背面电极(9)的电池主体部(100)和以与电池主体部的背面电极接触的方式配置的金属膜(17)。背面电极上设置有算术平均粗糙度大于0.1μm的凹凸结构。金属膜的与背面电极的接触面的算术平均粗糙度大于0.1μm。金属膜是以覆盖电池主体部的背面的面积的10％以上的区域的方式设置的。
-
公开(公告)号：CN113463055B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110325079.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/673 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种减少因半导体基板的翘曲而引起的成膜时的成膜气体的背绕的基板托盘。基板托盘(1)对方形形状或半方形形状的基板(W)进行保持，上述基板托盘具有收容基板(W)的由方形形状的凹陷构成的凹兜(10)。凹兜(10)的底从凹兜(10)的四个侧壁(20)侧朝向凹兜(10)的内侧依次具有周底部(31)与中央底部(33)。周底部(31)比中央底部(33)浅，并对基板(W)的四个边部的背面进行支承，上述周底部在沿着凹兜(10)的侧壁(20)的方向上，以从凹兜(10)的拐角之间的中央朝向拐角逐渐变浅的方式弯曲。
-
公开(公告)号：CN107710419A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037919.5
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/02 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的太阳能电池具有：在光电转换部(50)的背面具有背面电极(9)的电池主体部(100)和以与电池主体部的背面电极接触的方式配置的金属膜(17)。背面电极上设置有算术平均粗糙度大于0.1μm的凹凸结构。金属膜的与背面电极的接触面的算术平均粗糙度大于0.1μm。金属膜是以覆盖电池主体部的背面的面积的10％以上的区域的方式设置的。
-
公开(公告)号：CN113463055A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110325079.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/673 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种减少因半导体基板的翘曲而引起的成膜时的成膜气体的背绕的基板托盘。基板托盘(1)对方形形状或半方形形状的基板(W)进行保持，上述基板托盘具有收容基板(W)的由方形形状的凹陷构成的凹兜(10)。凹兜(10)的底从凹兜(10)的四个侧壁(20)侧朝向凹兜(10)的内侧依次具有周底部(31)与中央底部(33)。周底部(31)比中央底部(33)浅，并对基板(W)的四个边部的背面进行支承，上述周底部在沿着凹兜(10)的侧壁(20)的方向上，以从凹兜(10)的拐角之间的中央朝向拐角逐渐变浅的方式弯曲。
-
公开(公告)号：CN111095571A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058091.0
申请日：2018-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，太阳能电池(1)具备：半导体基板(11)，其在背面侧具有凹凸结构；第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27)，其层叠在半导体基板(11)的背面侧；以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37)，太阳能电池(1)的制造方法包含：电极材料膜形成工序，在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上，使用物理气相生长法形成电极材料膜；以及图案化工序，进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37)，在电极材料膜形成工序中，一边在X方向上搬运半导体基板(11)，一边形成电极材料膜。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.029 seconds)
