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公开(公告)号：CN104854708A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003515.5
申请日：2014-05-17
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/074 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的太阳能电池在光电转换部(50)的第一主面上具备集电极(70)。集电极(70)从光电转换部(50)侧依次包含第一导电层(71)和第二导电层(72)。在光电转换部(50)的第一主面上没有形成第一导电层(70)的第一导电层非形成区域形成有绝缘层(90)。绝缘层(90)在光电转换部(50)的第一主面上具备第一绝缘层(91)和第二绝缘层(92)，该第一绝缘层(91)与第一导电层(71)相接，该第二绝缘层(92)以覆盖第一绝缘层(91)上的至少一部分的方式形成。
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公开(公告)号：CN113678265A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080024664.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。
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公开(公告)号：CN107408632B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201680017148.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间，从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接，反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。
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公开(公告)号：CN109196678A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028270.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L51/48
Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。
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公开(公告)号：CN116490982A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180078740.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18
Abstract: 提供一种能够实现在低照度环境下使用的太阳能电池单体的优劣判定的时间缩短及精度提高的太阳能电池单元。太阳能电池单元(1)在大尺寸半导体基板(11)具有形成有背面电极型太阳能电池单体的单体区域(2)和除此以外的留白区域(3)。单体区域(2)具有形成有第一导电型(例如p型)半导体层及第一电极层的第一导电型区域和形成有第二导电型(例如n型)半导体层及第二电极层的第二导电型区域，留白区域(3)具有单位面积的第一导电型单位区域(4)、单位面积的第二导电型单位区域(5)及pn短路区域(6)，在第一导电型单位区域(4)中形成有第一导电型半导体层，在第二导电型单位区域(5)中形成有第二导电型半导体层，在pn短路区域(6)中形成有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及将它们电短路的第三电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108140735B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及
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公开(公告)号：CN108140735A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
CPC classification number: H01L31/0725 , H01G9/2009 , H01L31/028 , H01L51/44 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7以及
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公开(公告)号：CN117981092A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061642.5
申请日：2022-08-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068 , H10K30/50 , H10K30/87 , H10K30/88 , H10K39/15
Abstract: 光电转换效率高的本发明的一个方式的太阳能电池具备半导体基板11，以及层叠于上述半导体基板11的、具有第一导电性的第一半导体层14和具有第二导电性的第二半导体层15；上述半导体基板11的至少第一主面的负载面积率10％时的实体体积Vmp为0.003μm3/μm2～0.010μm3/μm2。
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公开(公告)号：CN113678265B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202080024664.5
申请日：2020-03-16
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。
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公开(公告)号：CN109196678B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201780028270.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L51/48
Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。
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