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公开(公告)号：CN116490982A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180078740.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18
Abstract: 提供一种能够实现在低照度环境下使用的太阳能电池单体的优劣判定的时间缩短及精度提高的太阳能电池单元。太阳能电池单元(1)在大尺寸半导体基板(11)具有形成有背面电极型太阳能电池单体的单体区域(2)和除此以外的留白区域(3)。单体区域(2)具有形成有第一导电型(例如p型)半导体层及第一电极层的第一导电型区域和形成有第二导电型(例如n型)半导体层及第二电极层的第二导电型区域，留白区域(3)具有单位面积的第一导电型单位区域(4)、单位面积的第二导电型单位区域(5)及pn短路区域(6)，在第一导电型单位区域(4)中形成有第一导电型半导体层，在第二导电型单位区域(5)中形成有第二导电型半导体层，在pn短路区域(6)中形成有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及将它们电短路的第三电极层。
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公开(公告)号：CN114830357A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088050.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明欲解决如下课题，即、提供一种减少图案印刷抗蚀剂的剥离残留、减少制造工艺中的第三本征半导体层的损伤的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池的制造方法依次包括：在半导体基板(11)的背面侧形成第一本征半导体层的材料膜以及第一导电型半导体层的材料膜的工序；在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)中的第一导电型半导体层的材料膜之上形成图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的受光面侧不形成图案印刷抗蚀剂的工序；使用图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)形成已图案化的第一本征半导体层(23)以及第一导电型半导体层(25)的工序；去除图案印刷抗蚀剂的工序；以及在半导体基板(11)的受光面侧形成第三本征半导体层(13)的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112514034B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980050155.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成，并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中，外周面(52a)的周向的一部分为曲线，余部为直线。
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公开(公告)号：CN114830357B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080088050.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明欲解决如下课题，即、提供一种减少图案印刷抗蚀剂的剥离残留、减少制造工艺中的第三本征半导体层的损伤的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池的制造方法依次包括：在半导体基板(11)的背面侧形成第一本征半导体层的材料膜以及第一导电型半导体层的材料膜的工序；在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)中的第一导电型半导体层的材料膜之上形成图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的受光面侧不形成图案印刷抗蚀剂的工序；使用图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)形成已图案化的第一本征半导体层(23)以及第一导电型半导体层(25)的工序；去除图案印刷抗蚀剂的工序；以及在半导体基板(11)的受光面侧形成第三本征半导体层(13)的工序。
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公开(公告)号：CN112514034A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050155.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供盒以及清洗浴槽套件。在保持有至少一个半导体基板(57)的状态下被浸渍于清洗浴槽(21)内的处理液的盒(51)由筒状体(52)构成，并且具备向筒状体(52)的外侧露出的外周面(52a)、和将至少一个半导体基板(57)保持于筒状体(52)的内周面的保持部(保持用突起部(52e)、基板支承部(52f))。在筒状体(52)的与筒轴方向正交的截面中，外周面(52a)的周向的一部分为曲线，余部为直线。
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公开(公告)号：CN112514033B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201980050101.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
Abstract: 本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。
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公开(公告)号：CN112514033A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050101.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
Abstract: 本发明的清洗浴槽(21)对保持于盒(51)的半导体基板(57)进行超声波处理，并具备：底壁部(22)；筒状侧壁部(23)，从底壁部(22)立起并在内部存积处理液；以及制止部(30)，制止浸渍于上述处理液的上述盒(51)向上述底壁部(22)的面内方向以及相对于上述面内方向的交叉方向的移动。在上述筒状侧壁部(23)的与筒轴方向正交的截面中，上述筒状侧壁部(23)的内侧面的周向的一部分为曲线并且余下部分为直线。
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