公开(公告)号：CN107408632B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201680017148.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  宇津恒 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间，从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接，反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。

公开(公告)号：CN109196678A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780028270.5

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L51/48

Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。

公开(公告)号：CN109196678B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201780028270.5

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L51/48

Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。

公开(公告)号：CN107408632A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680017148.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  宇津恒 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间，从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接，反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。

公开(公告)号：CN108140735B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201680056492.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇津恒 ,  日野将志 ,  市川满 ,  三岛良太 ,  目黑智巳 ,  山本宪治

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0725

Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及

公开(公告)号：CN108140735A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056492.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇津恒 ,  日野将志 ,  市川满 ,  三岛良太 ,  目黑智巳 ,  山本宪治

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0725

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01G9/2009 ,  H01L31/028 ,  H01L51/44 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7以及