• 专利标题: 晶体硅太阳能电池的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、晶体硅太阳能电池以及太阳能电池模块
  • 专利标题(英): Method for manufacturing crystalline silicon solar cell, method for manufacturing solar cell module, crystalline silicon solar cell, and solar cell module
  • 申请号: CN201380004306.8
    申请日: 2013-09-30
  • 公开(公告)号: CN103999242A
    公开(公告)日: 2014-08-20
  • 发明人: 宇津恒寺下彻足立大辅吉见雅士何塞·路易斯埃尔南德斯
  • 申请人: 株式会社钟化
  • 申请人地址: 日本大阪府
  • 专利权人: 株式会社钟化
  • 当前专利权人: 株式会社钟化
  • 当前专利权人地址: 日本大阪府
  • 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
  • 代理商 金世煜; 赵曦
  • 优先权: 2012-220572 2012.10.02 JP; 2013-105528 2013.05.17 JP
  • 国际申请: PCT/JP2013/076615 2013.09.30
  • 国际公布: WO2014/054600 JA 2014.04.10
  • 进入国家日期: 2014-06-16
  • 主分类号: H01L31/0747
  • IPC分类号: H01L31/0747 H01L31/18
晶体硅太阳能电池的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、晶体硅太阳能电池以及太阳能电池模块
摘要:
在本发明中,提供转换效率高、光入射面被精密加工的晶体硅太阳能电池的制造方法。该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序,在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后,进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序,绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/072 ...只是PN异质结型势垒的
H01L31/0745 ....包括AIVBIV的异质结,例如Si/Ge,SiGe/Si或Si/SiC太阳能电池
H01L31/0747 .....包括结晶材料和非晶材料的异质结,例如具有本征薄层的异质结或HIT?太阳能电池
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