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公开(公告)号：CN107863399B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710104250.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于LRC工艺的n‑Ge‑i‑Ge‑p‑Si结构波导型光电探测器及其制备方法。该方法包括：制备SOI衬底；在顶层Si层表面分别刻蚀形成波导区，耦合结构和器件部分；在器件部分的表面生长Ge材料，并制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使Ge材料形成晶化Ge层，去除保护层；在晶化Ge层表面生长第一Ge层和第二Ge层；在整个衬底上制备钝化层，利用选择性刻蚀工艺刻蚀钝化层以在顶层Si层表面形成P型接触孔并在第二Ge层表面形成N型接触孔；在P型和N型接触孔淀积金属完成互连以最终形成光电探测器。本发明实施例光电探测器可减少暗电流，并克服了垂直入光型光探测器中高速响应与量子效率矛盾，同时保证了高速率和高量子效率。
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公开(公告)号：CN107871800B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710104256.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/105
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长Ge材料，制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使Ge材料形成晶化Ge层，去除保护层；对晶化Ge层进行离子注入形成P型晶化Ge层；连续生长本征GeSn层、N型Ge层；在N型Ge层表面分别刻蚀形成水平截面为第一矩形、第二梯形和第二矩形的台状结构；在器件部分制作接触孔，并在接触孔中淀积金属以完成互连制备，最终形成光电探测器。本发明实施例光电探测器可减少暗电流，并克服了垂直入光型光探测器中高速响应与量子效率矛盾，同时保证了高速率和高量子效率。
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公开(公告)号：CN107785454A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610726274.8
申请日：2016-08-25
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0392 , H01L21/268
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/268 , H01L31/0312 , H01L31/03921
Abstract: 本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长SiO2层；将整个衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；去除SiO2层；掺杂形成P型晶化Ge层；生长本征GeSn层及N型Ge层、SiO2钝化层及Cr/Au层；利用CMP工艺进行处理后形成光电探测器。本发明采用的激光晶化工艺具有选择性高，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点；通过连续激光辅助晶化Ge/Si虚衬底，可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷从而降低了GeSn光电探测器暗电流。
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公开(公告)号：CN107785451A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610726482.8
申请日：2016-08-25
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的Ge PIN光电探测器及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长SiO2层；将整个衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；去除SiO2层；生长P型Ge层、本征Ge层、N型Ge层；生长Al2O3材料，刻蚀形成接触孔，最终形成该光电探测器。本发明激光再晶化工艺具有选择性高，控制精度准，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点；通过连续激光辅助晶化Ge/Si虚衬底，可有效降低Ge外延层位错密度和表面粗糙度，进而显著提高Ge PIN光电探测器的暗电流特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207021280U
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201720544312.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
Abstract: 本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括：单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置处；负电极15，设置于台阶结构13的上表面；钝化层16，设置于第一Ge层(12)和Ge基台阶结构(13)的上表面以及正电极(14)和Ge基台阶结构(13)的中间，以形成发光二极管10。本实用新型台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN206993124U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720538305.7
申请日：2017-05-17
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
IPC: H04B10/50 , H04B10/564 , H04B10/07 , H04B10/079 , H04B10/40
Abstract: 本实用新型涉及一种发光功率稳定的光模块和光通信设备，该光模块包括：红外LED(10)，用于在驱动电流的作用下生成红外光；光传感电路(11)，电连接所述红外LED(10)，用于测量所述红外LED(10)的发光功率，并生成与所述发光功率相匹配的光电流；反馈调节电路(12)，电连接所述红外LED(10)和所述光传感电路(11)，用于接收所述光电流后经处理生成所述驱动电流，所述驱动电流随所述光电流的变化而反向变化。本实用新型提供的光模块和光通信设备可实现红外光的发光效率稳定。
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公开(公告)号：CN206056572U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621020350.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 西藏民族大学
Inventor： 乔丽萍
Abstract: 本实用新型属于智能监测技术领域，具体涉及一种温度湿度三轴倾角监测装置，包括三轴倾角测量计，温度传感器，湿度传感器，ZigBee分节点，单片机，ZigBee主节点、通讯设备及后台计算机，所述三轴倾角测量计、所述温度传感器和所述湿度传感器均通信连接至所述ZigBee分节点，所述ZigBee分节点、所述单片机、所述ZigBee主节点、所述通讯设备及所述后台计算机依次通信连接。本实用新型实施例，通过该温度湿度三轴倾角监测装置解决了待测建筑物倾角变化的可视化实时监测，达到避免因不能实时监测从而导致建筑物发生倾斜最终倒塌的有益效果。
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