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公开(公告)号：CN103985628B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410088505.8
申请日：2014-01-29
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/02378 , H01L21/02444 , H01L21/02485 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及一种用于晶片转移的方法。一种用于晶片转移方法包括在单晶SiC衬底上形成扩展层，该扩展层包括石墨烯。包括一个或多个层的半导体层形成在该晶体SiC层上并且该半导体层与该晶体SiC层晶格匹配。该半导体层被转移至处理衬底，以及该扩展层被分裂以移除该单晶SiC衬底。
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公开(公告)号：CN104303321A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380024927.2
申请日：2013-06-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1864 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 一种用于形成光伏器件的方法，包括，通过采用高沉积速率等离子体增强化学气相沉积(HDR PECVD)工艺，在衬底上沉积(302)光伏叠层的一个或多个层。在所述光伏叠层上形成接触(306)，以提供光伏电池。在配置为改善总性能的温度和时长下，在所述光伏电池上进行退火(310)。
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公开(公告)号：CN104103567A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410122665.X
申请日：2014-03-28
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C01B31/0446 , C01B32/184 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0272 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L2221/68345 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , Y10T156/11 , Y10T156/1153
摘要： 本发明涉及晶片尺度外延石墨烯转移。一种用于二维材料的转移的方法包括：在衬底上形成二维材料的扩展层，扩展层具有单层。在扩展层上形成应力源层，以及应力源层被配置为向扩展层的最近单层施加应力。通过机械分裂扩展层剥落最近单层，其中最近单层保留在应力源层上。
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公开(公告)号：CN103390697A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310168107.2
申请日：2013-05-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/077 , H01L31/0368 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/077 , C23C16/0272 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , C23C16/50 , C23C16/515 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/03682 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/065 , H01L31/1816 , H01L31/20 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548
摘要： 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。
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公开(公告)号：CN102779896A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210144511.1
申请日：2012-05-10
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/18 , Y02E10/544
摘要： 本发明涉及晶片接合的太阳能电池和制造方法。光伏器件和制造方法包括多结电池，每个电池具有独立于其他电池生长的并包括不同的带隙能量的材料。界面被设置在所述电池之间并被配置为晶片接合所述电池，其中，所述电池被配置为相邻近而不考虑晶格失配。
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公开(公告)号：CN105977291A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610140176.6
申请日：2016-03-11
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/66446 , H01L21/2654 , H01L21/28008 , H01L29/0847 , H01L29/267 , H01L29/43 , H01L29/66522 , H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/66409 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 一种半导体装置，包括基板和基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III-V族材料。n型材料形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中。该n型层包括ZnO。铝接触形成为与该n型材料的ZnO直接接触以形成电子装置。
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公开(公告)号：CN103390697B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310168107.2
申请日：2013-05-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/077 , H01L31/0368 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/077 , C23C16/0272 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , C23C16/50 , C23C16/515 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/03682 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/065 , H01L31/1816 , H01L31/20 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548
摘要： 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。
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公开(公告)号：CN102804392A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025506.8
申请日：2010-06-17
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1872 , H01L31/03921 , H01L31/068 , H01L31/078 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种具有衬底的半导体，所述衬底掺杂有衬底掺杂。在所述衬底的前侧有晶体半导体层。该晶体半导体层具有层掺杂。所述衬底掺杂在100埃的过渡区内变化到所述层掺杂。在另选实施方式中，层掺杂具有新颖的分布。在其它另选实施方式中，衬底具有位于该衬底的前侧和后侧每一个上的晶体半导体层。所述晶体半导体层中的每一个都具有各自的层掺杂，而且这些层掺杂中的每一个都在各自小于100埃厚的过渡区内变化到衬底掺杂。在本发明的还有其它实施方式中，非晶硅层位于晶体半导体层的与衬底相对的一侧上。该非晶硅层具有非晶掺杂，使得在掺杂晶体半导体层与非晶层之间形成隧道结。在低于700摄氏度下制造这些结构使得结构可以有窄的过渡区。
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公开(公告)号：CN102741980B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201180008430.2
申请日：2011-02-01
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/187
摘要： 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。
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