公开(公告)号：CN104736478B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201380048139.7

申请日：2013-09-04

申请人： 巴斯夫欧洲公司 ,  瑞士联邦材料测试与开发研究所

发明人： T·欣特曼 ,  R·法泽尔 ,  P·吕菲克斯 ,  J·蔡 ,  J·R·桑切斯瓦伦西亚

IPC分类号： C01B31/04 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C01B31/0446 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/06

摘要： 本发明涉及制备石墨烯纳米带的方法，所述方法包括：(a)在固体基底上提供选自如下的至少一种芳族单体化合物：至少一种多环芳族单体化合物、至少一种低聚亚苯基芳族单体化合物或其组合，(b)使芳族单体化合物聚合以在固体基底表面形成至少一种聚合物，(c)将步骤(b)的一种或多种聚合物至少部分环化脱氢，其中至少步骤(b)在以下条件下进行：至少1×10‑9毫巴的总压力p(总)；和满足以下关系的氧分压p(O2)和水分压p(H2O)：p(O2)×p(H2O)≤3×10‑14毫巴2。

公开(公告)号：CN104276566B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410454395.2

申请日：2014-09-09

申请人： 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司

发明人： 刘剑洪 ,  张黔玲 ,  何传新 ,  徐坚 ,  胡超

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C01B31/0446 ,  C01B32/182 ,  C01B32/184

摘要： 本发明公开一种石墨烯及其制备方法，其中方法包括步骤：将热氧化的聚丙烯腈低聚物进行研磨、过筛，经室温干燥得到热氧化前驱体；把热氧化前躯体在惰性气氛保护下，气体流量为10~500ml/min，400~1000℃条件下煅烧1‑24小时，得到低温碳化前驱体；把低温碳化前驱体在惰性气氛保护下，气体流量为10~500ml/min，1000~3000℃条件下煅烧1‑10小时，得到石墨烯材料。本发明的方法所制备的石墨烯不仅具有高的导电率，并且其制备工艺较为简单、控制过程方便，石墨烯碳层结构保存较为完整，石墨烯的品能够得到保证。

公开(公告)号：CN104271500A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201280072979.2

申请日：2012-06-29

申请人： 海洋王照明科技股份有限公司 ,  深圳市海洋王照明工程有限公司

发明人： 周明杰 ,  吴凤 ,  王要兵

IPC分类号： C01B31/04 ,  H01M4/66 ,  H01G5/015

CPC分类号： C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  C01B2204/04 ,  H01G11/68 ,  H01M4/663 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/13

摘要： 本发明提供了一种石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供洁净基底，进行表面正电荷化处理；分别制备表面带负电荷的石墨烯悬浮液和表面带有正电荷的石墨烯悬浮液；将经过表面处理后的基底浸入到表面带负电荷的石墨烯悬浮液中5～20min取出，洗净，吹干，再浸入到表面带正电荷的石墨烯悬浮液中5～20min取出，洗净，吹干，如此交替重复10～50次，得到石墨烯薄膜前驱体，在500～1000℃温度下还原，得到石墨烯薄膜。本发明提供的石墨烯薄膜的制备方法，制备工艺简单，薄膜厚度易控制；本发明提供的石墨烯薄膜质量轻，导电性强，可作为超级电容器和锂离子电池的集流体。

公开(公告)号：CN103449424A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310383432.0

申请日：2013-08-28

申请人： 武汉大学

发明人： 金先波 ,  洪晏忠

IPC分类号： C01B31/04 ,  H01M4/583 ,  H01G11/36 ,  B01J23/14 ,  B01J27/04 ,  B01J21/18 ,  B01J23/745 ,  B01J27/043 ,  B01J31/02 ,  B01J31/06

CPC分类号： C01B31/0446 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/19

摘要： 本发明涉及一种石墨烯及石墨烯基复合材料的常压低温制备方法：将氧化石墨与硫酸的复合物或者其与固体单质、金属氧化物、硫化物、离子液体、有机聚合物等的三元或多元复合物直接在70～400℃加热处理，使氧化石墨转变为石墨烯，从而制备石墨烯及石墨烯基复合材料。本发明具有工艺简单，操作温度低，制备周期短，能耗低，环境污染小，无需惰性气体或真空保护，操作安全，设备要求低等众多优势，因而具有重要的工业化前景。所制备的石墨烯及石墨烯基复合材料可广泛应用于光学材料、导电材料、传感器材料、催化材料、电池材料及超级电容器材料。

公开(公告)号：CN105858641B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201510027584.6

申请日：2015-01-20

申请人： 中原大学

发明人： 刘伟仁 ,  许贵廷 ,  林品均

IPC分类号： C01B32/184

CPC分类号： C01B31/0446 ,  B01J19/10 ,  C01B32/184

摘要： 本发明揭露一种石墨烯的制备工艺，包括下列步骤：提供碳材；进行辗压程序；进行超声波程序；以及取得包含有石墨烯的溶液，其中，由经过超声波震荡后的溶液的上层液体来取得包含有石墨烯的溶液。本发明可提供降低石墨烯制备成本、环保、且提高石墨烯产率的功效。

公开(公告)号：CN104797524B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380059483.6

申请日：2013-09-26

申请人： LG电子株式会社

发明人： 文振山 ,  丁景昊 ,  姜殷锡

IPC分类号： C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  B05D3/10

CPC分类号： C01B31/0446 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明涉及石墨烯，具体地，涉及制备石墨烯的方法、所述石墨烯以及使用所述石墨烯的电子设备。如上所述，本发明由以下步骤中的内容构成：在催化剂金属层上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成未固化状态的有机‑无机杂化膜；和固化所述膜。

公开(公告)号：CN107108219A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580052245.1

申请日：2015-08-10

申请人： 奥兰雷瓦朱·W·塔尼莫拉

发明人： 奥兰雷瓦朱·W·塔尼莫拉

IPC分类号： C01B32/154 ,  C01B32/168 ,  C30B7/06 ,  C30B7/14 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60

CPC分类号： C01B31/0446 ,  C01B32/152 ,  C01B32/168 ,  C01B32/194 ,  C30B7/06 ,  C30B7/14 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60

摘要： 所描述的实施例涉及用于沥青烯材料的官能化的方法和由官能化沥青烯制备的组合物。本发明公开了一种石墨烯衍生物的合成方法，例如石墨烯的2D单晶碳同素异形体和功能材料，如磺酸及其衍生物。还公开了通过利用化学取代反应机理将沥青烯转化为石墨烯衍生物和功能材料源例如0D、1D、2D和0D和1D的组合的方法，例如亲电芳族取代、亲核芳族取代和Sandmeyer机制还公开了新颖的石墨烯材料、其包含：炔键和氢化石墨烯。这些可以通过这些方法生产的新材料包括例如：具有不对称单元式C7H6N2O4、C6H4N2O4、C7H7O3S‑H3O+，C7H7O3SH+的石墨烯的2D单晶碳同素异形体，以及具有不对称单元式(Na6O16S4)n的2D单晶。

公开(公告)号：CN105776186A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410826636.1

申请日：2014-12-25

申请人： 华中科技大学

发明人： 闫春泽 ,  史玉升 ,  朱伟

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C23F4/04 ,  B33Y10/00 ,  C01B31/0446 ,  C01B31/0484 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/32 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16

摘要： 本发明公开了一种结构可控的三维石墨烯多孔材料制备方法，包括：构建三维多孔结构CAD模型，并通过增材制造技术制得相应形状的三维多孔金属结构；在惰性气体的保护氛围下，将所制得的三维多孔金属结构升温至900℃～1500℃，然后冷却至室温；然后进行喷砂和超声清洗处理以获得金属模板；通过化学气相沉积法在金属模板上生长石墨烯薄膜；配置腐蚀液并在60℃～90℃的温度下回流溶解金属模板，经洗涤和干燥处理后即得到三维石墨烯多孔材料产品。通过本发明，能够有效克服现有技术中所存在的外部形状和内部结构不可控的缺陷，同时具备便于操控、制备周期短和适应面广等特点，因而尤其适用于大批量规模生产高质量、多功能的三维石墨烯多孔材料的制造场合。

公开(公告)号：CN104797526A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380046045.6

申请日：2013-09-04

申请人： 真实2材料有限公司

发明人： W·里肯

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C01B31/0446 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/192 ,  C01B32/23 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/28 ,  C04B35/522 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/606 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明涉及石墨烯片以及其制造方法，其中将石墨烯或氧化石墨的溶液施用到蓝钢衬底上并干燥。

公开(公告)号：CN104229776A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410129601.2

申请日：2014-03-27

申请人： LG电子株式会社

发明人： 崔珉硕 ,  金泰亨 ,  文振山 ,  郑明姬

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C01B31/0446 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明涉及制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯。更特别地，公开了一种用于生长具有高品质的石墨烯的制造石墨烯的方法，以及通过所述方法制造的石墨烯。所述方法包括准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层以及在所述金属层上形成石墨烯。