用于量子位-光学-CMOS集成的波导结构

    公开(公告)号:CN113272695B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202080008266.4

    申请日:2020-01-20

    Abstract: 提供了使用结构化衬底将SiGe/Si光学谐振器与量子位和CMOS器件集成的技术。在一个方面,波导结构包括:晶片;以及布置在晶片上的波导,波导具有由Si包围的SiGe核,其中,晶片具有比Si低的折射率(例如,蓝宝石、金刚石、SiC和/或GaN)。还提供了一种用于量子计算的计算设备和方法。

    无漂移相变存储器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114747034B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202080083943.9

    申请日:2020-11-20

    Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

    低电阻复合硅基电极
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115956304A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202180050375.7

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 硅基电极与层对形成界面,所述层对为:1.由锂(Li)化合物,例如氟化锂LiF,制成的薄的半介电层,其设置在硅基电极的电极表面上并与其粘附,和2.含锂盐的熔融离子导电层(锂盐层),其设置在半介电层上。一个或多个器件层可以设置在层对上以制造诸如能量存储装置的装置,如电池。该界面具有低电阻率,其减少了能量损失和器件产生的热量。

    用于量子位-光学-CMOS集成的波导结构

    公开(公告)号:CN113272695A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202080008266.4

    申请日:2020-01-20

    Abstract: 提供了使用结构化衬底将SiGe/Si光学谐振器与量子位和CMOS器件集成的技术。在一个方面,波导结构包括:晶片;以及布置在晶片上的波导,波导具有由Si包围的SiGe核,其中,晶片具有比Si低的折射率(例如,蓝宝石、金刚石、SiC和/或GaN)。还提供了一种用于量子计算的计算设备和方法。

    具有剥落的和纹理化的阴极层的可充电电池堆

    公开(公告)号:CN111133623A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880061824.6

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 通过形成可再充电电池堆,提供了大容量和高性能可再充电电池,该可再充电电池堆包括剥落材料结构,该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。

    具有快速充电速度的薄膜锂离子电池

    公开(公告)号:CN110870122A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201880046522.1

    申请日:2018-07-26

    Abstract: 通过在锂化阴极材料层和锂基固态电解质层之间包括富氮锂化阴极材料表面层,来提供具有快速充电和再充电速度(高于3C)的固态锂基电池。可以通过将氮引入到锂化阴极材料中来形成富氮锂化阴极材料表面层。可以在沉积工艺的最后阶段或通过利用与沉积工艺不同的工艺(例如,热氮化)来引入氮。

    具有剥落的和纹理化的阴极层的可充电电池堆

    公开(公告)号:CN111133623B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201880061824.6

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 通过形成可再充电电池堆,提供了大容量和高性能可再充电电池,该可再充电电池堆包括剥落材料结构,该剥落材料结构包括具有至少一个纹理化的表面的剥落阴极材料层和具有至少一个纹理化的表面的应力源层。应力源层用作可再充电电池堆的阴极集电器。剥落的阴极材料层的至少一个纹理化的表面在阴极和剥落的阴极材料层上方的电解质之间的电解质之间形成较大的界面区域。阴极和电解质之间的较大界面面积会降低可充电电池堆内的界面电阻。

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