公开(公告)号：CN115956304A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180050375.7

申请日：2021-07-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·K·托多洛夫 ,  J·柯林斯 ,  A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 ,  J·德索萨 ,  D·萨达纳

IPC: H01M4/1395

Abstract: 硅基电极与层对形成界面，所述层对为：1.由锂(Li)化合物，例如氟化锂LiF，制成的薄的半介电层，其设置在硅基电极的电极表面上并与其粘附，和2.含锂盐的熔融离子导电层(锂盐层)，其设置在半介电层上。一个或多个器件层可以设置在层对上以制造诸如能量存储装置的装置，如电池。该界面具有低电阻率，其减少了能量损失和器件产生的热量。

公开(公告)号：CN111279467B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880070106.5

申请日：2018-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  李允锡 ,  J·德索萨 ,  D·萨达纳

IPC: H01L21/822

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。

公开(公告)号：CN111279467A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880070106.5

申请日：2018-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  李允锡 ,  J·德索萨 ,  D·萨达纳

IPC: H01L21/822

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。