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公开(公告)号：CN103796947A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280043948.4
申请日：2012-09-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , 栾斌全 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼
IPC: B82Y40/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C12Q1/6869 , C25D3/665 , C25D5/028 , C25D13/04 , G01N33/48721
Abstract: 提供一种用于将纳米管嵌入纳米孔中的技术。膜将容器分隔为第一容器部和第二容器部，以及所述纳米孔穿过所述膜形成以连接所述第一和第二容器部。离子流体填充所述纳米孔、所述第一容器部和所述第二容器部。第一电极被浸入所述第一容器部，以及第二电极被浸入所述第二容器部。将所述纳米管驱入所述纳米孔使得所述纳米孔的内表面通过有机涂层形成与所述纳米管的外表面的共价接合，以便所述纳米管的内表面将是具有超平滑表面的新纳米孔，以用于在生物分子穿过所述纳米管移动时研究生物分子。
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公开(公告)号：CN100590814C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200510123516.6
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D·V·塔拉宾 , C·B·穆拉伊 , C·R·卡甘 , C·T·布莱克 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , R·L·斯丹斯特罗姆
IPC: H01L21/336 , H01L21/24 , H01L21/228 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L29/0673 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0049 , H01L51/0545 , H01L2251/5369 , Y10S977/938
Abstract: 本文公开了含有已掺杂的半导体纳米元件的装置和形成这种装置的方法。纳米元件是通过对有机含胺掺杂剂暴露而掺杂的纳米管、纳米线或纳米晶体膜之一。对具有含硒化铅纳米线或纳米晶体膜的通道的场效应晶体管及形成这些装置的方法给出了说明性实例。
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公开(公告)号：CN101124050A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680003296.6
申请日：2006-01-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , J·B·汉农
Abstract: 本发明提供了一种在特定表面上选择性设置碳纳米管的方法。更具体地说，本发明提供了一种方法，其中使用在未构图或构图金属氧化物表面上形成的自组装单层从包括碳纳米管的分散体吸引或排斥碳纳米管。根据本发明，碳纳米管可以被吸引到自组装单层以附着到金属氧化物表面上，或它们可以被自组装单层排斥而接合到与包括自组装单层的金属氧化物表面不同的预定表面。
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公开(公告)号：CN103081027B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180040066.8
申请日：2011-06-07
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·A·伯尔 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , G·S·图尔维斯基
CPC classification number: H01B1/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C01B2204/22 , H01L51/0045 , H01L51/442 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中，一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液，所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性，进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地，在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。
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公开(公告)号：CN102714157B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080058172.4
申请日：2010-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： M·霍贾斯特 , G·G·托蒂尔 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , R·W·努内斯
IPC: H01L21/311 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/311 , G03F7/40 , G03F7/423
Abstract: 提供可用于剥离经离子注入的光致抗蚀剂的旋涂配制剂，其包含含有至少一种酸性官能团的水溶性聚合物和至少一种含有镧系金属的氧化剂的水溶液。该旋涂配制剂被施加到经离子注入的光致抗蚀剂并被烘烤而形成经改性的光致抗蚀剂。该经改性的光致抗蚀剂可溶于含水的、酸性的、或有机的溶剂。由此可使用上述溶剂中的一种来完全地剥离经离子注入的光致抗蚀剂以及任何可能存在的光致抗蚀剂残留物。剥离经改性的光致抗蚀剂之后可执行冲洗步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103827026B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201280046391.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , G·S·图尔维斯基 , 朴弘植
IPC: C01B32/16
CPC classification number: C07D213/79 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C07D213/76 , H01L29/0676 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0049 , H01L51/0558
Abstract: 一种形成具有选择性地放置的碳纳米管的结构的方法，一种制造带电碳纳米管的方法，一种双官能前体以及一种具有成束最少的高密度碳纳米管层的结构。将碳纳米管选择性地放置在具有两个区域的衬底上。所述第一区域的等电点超过所述第二区域的等电点。将所述衬底浸没在具有锚定端和带电端的双官能前体的溶液中。所述锚定端与所述第一区域键合以形成具有带电端的自组装单层。将具有带电单层的衬底浸没在具有相反电荷的碳纳米管的溶液中以在所述自组装单层上形成碳纳米管层。通过官能化或用离子表面活性剂的涂布制造所述带电的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN103922275A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410007808.2
申请日：2014-01-08
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , 栾斌全 , G·A·斯托洛维茨基 , 王超 , 王德强
CPC classification number: H01B13/06 , B82Y40/00 , G01N33/48721 , Y10S977/70
Abstract: 本发明涉及晶片级自形成纳米通道及其制造方法。提供了一种制造纳米器件的纳米通道的机制。在衬底上沉积绝缘膜。在所述膜上构图纳米线。在所述纳米线和膜上沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞在所述纳米线的第一末端上方从而暴露所述第一末端。形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方从而暴露所述第二末端。通过所述第一和第二孔洞中的蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，纳米通道连接所述第一和第二孔洞。在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使其在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接。在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使其在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。
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公开(公告)号：CN102714157A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080058172.4
申请日：2010-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： M·霍贾斯特 , G·G·托蒂尔 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , R·W·努内斯
IPC: H01L21/311 , G03F7/42
CPC classification number: H01L21/311 , G03F7/40 , G03F7/423
Abstract: 提供可用于剥离经离子注入的光致抗蚀剂的旋涂配制剂，其包含含有至少一种酸性官能团的水溶性聚合物和至少一种含有镧系金属的氧化剂的水溶液。该旋涂配制剂被施加到经离子注入的光致抗蚀剂并被烘烤而形成经改性的光致抗蚀剂。该经改性的光致抗蚀剂可溶于含水的、酸性的、或有机的溶剂。由此可使用上述溶剂中的一种来完全地剥离经离子注入的光致抗蚀剂以及任何可能存在的光致抗蚀剂残留物。剥离经改性的光致抗蚀剂之后可执行冲洗步骤。
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公开(公告)号：CN1790643A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510123516.6
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： D·V·塔拉宾 , C·B·穆拉伊 , C·R·卡甘 , C·T·布莱克 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , R·L·斯丹斯特罗姆
IPC: H01L21/336 , H01L21/24 , H01L21/228 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L29/0673 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0049 , H01L51/0545 , H01L2251/5369 , Y10S977/938
Abstract: 本文公开了含有已掺杂的半导体纳米元件的装置和形成这种装置的方法。纳米元件是通过对有机含胺掺杂剂暴露而掺杂的纳米管、纳米线或纳米晶体膜之一。对具有含硒化铅纳米线或纳米晶体膜的通道的场效应晶体管及形成这些装置的方法给出了说明性实例。
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