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公开(公告)号：CN119183345A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410736509.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 特拉量子股份公司
Abstract: 量子比特器件、用于制造量子比特器件的方法、以及用于该方法的接触层。一种量子比特器件包括第一超导体层、第二超导体层、电容器、第一互连件和第二互连件。第一超导体层包括第一超导体材料。第一超导体材料是具有共价结合原子层和垂直于第一超导体材料的共价结合原子层的第一c轴的第一各向异性分层材料。第二超导体层包括第二超导体材料。第二超导体材料是具有共价结合原子层和垂直于第二超导体材料的共价结合原子层的第二c轴的第二各向异性分层材料。第二超导体层布置在第一超导体层之上，以形成第一超导体材料与第二超导体材料之间的约瑟夫森结，其中，第一c轴和第二c轴在约瑟夫森结处彼此对齐；并且其中，约瑟夫森结处的所对齐的第一c轴和第二c轴与第一超导体层和第二超导体层两者相交。电容器包括第一电极和第二电极。第一互连件将第一电极和第一超导体层电连接。第二互连件将第二电极和第二超导体层电连接。电容器布置在竖直位置处，该竖直位置超过第一超导体层和第二超导体层两者的竖直位置。
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公开(公告)号：CN118969873A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411290844.4
申请日：2024-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种串联纳米线探测器及其制作方法，串联纳米线探测器包括衬底及形成于其上的探测结构，探测结构包括M个纳米线、2M个连接线及M个电阻，M个纳米线串联，M个电阻通过2M个连接线分别并联于M个纳米线的两端，M为大于或等于2的自然数；其中，纳米线及连接线采用同一超导叠层制作，超导叠层由下至上依次包括第一超导层、介质层及第二超导层。通过本发明提供的串联纳米线探测器及其制作方法，解决了现有技术中没有能够保证极限效率的多光子分辨方案的问题。
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公开(公告)号：CN114823774B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110130673.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了超导电路、量子比特装置及其制备方法，属于量子芯片制备技术领域。所述超导电路包括：待连接结构；引出结构，所述引出结构与约瑟夫森结的超导层电连接；以及过渡结构，所述过渡结构覆盖部分所述待连接结构和部分所述引出结构以实现电连接。还公开了制备该超导电路的制备方法。所述超导电路及其制备方法能够实现约瑟夫森结与待连接结构(例如，对地电容、接地层(GND))良好的电性接触。从而解决了相关工艺制备的约瑟夫森结与对地电容、接地层(GND)等待连接结构的电性接触不良，从而影响到超导量子芯片的性能参数的问题。
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公开(公告)号：CN114747014B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980102748.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
Inventor： P·克罗格斯拉普·杰普森 , S·瓦伊缇克纳斯 , C·M·马库斯
Abstract: 半导体‑铁磁绝缘体‑超导体混合器件。一种半导体‑铁磁绝缘体‑超导体混合器件(200)包括半导体组件(20)、铁磁绝缘体组件(24)和超导体组件(22)。所述半导体组件具有至少三个刻面(a、b、c)。所述铁磁绝缘体组件被布置在第一刻面和第二刻面上。所述超导体组件被布置在第三刻面上并且在至少所述第二刻面上的所述铁磁绝缘体组件上方延伸。所述器件对于生成马约喇纳零模式是有用的，所述马约喇纳零模式对于量子计算是有用的。还提供了一种制造所述器件的方法以及在所述器件中诱发拓扑行为的方法。
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公开(公告)号：CN118201471A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410621012.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: H10N69/00 , H10N39/00 , H10N30/03 , H10N60/01 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G06N10/40 , H03H9/17 , H03H3/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在第一衬底的第二表面；半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在第二衬底的表面，半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在第二衬底的表面；至少两个电极层，至少两个电极层分别搭接设置在半导体纳米线的两端，至少两个电极层之间裸露有部分半导体纳米线；其中，凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118201466A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620856.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请提供了一种量子信息处理器件的制备方法及量子信息处理器件。该制备方法包括：制备第一芯片；制备第二芯片；通过多个铟柱将第一芯片和第二芯片结合在一起，并使得第一鼓膜区和第二鼓膜区中心对准，且间隔开第二预定距离；以及对第一芯片和第二芯片的结合体的第一高阻硅基片的与第一表面相对的第三表面进行刻蚀，使得第一鼓膜区暴露。本申请通过两个芯片的焊接封装，实现鼓膜型固态量子信息处理器件的制备，无需通过化学气相沉积等薄膜沉积工艺技术来制备牺牲层材料，精简了工艺流程，减小了器件的缺陷率。制备出的鼓膜型固态量子信息处理器件不仅不会塌陷，且非常平整，这样与下层的膜材料形成完美的真空电容。
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公开(公告)号：CN117891108A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410302967.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种片上超导微波频率梳及其制备方法，包括约瑟夫森结和超导微波谐振器，将约瑟夫森结和超导微波谐振器进行耦合，两者构成一个非线性系统，当在约瑟夫森结两端加直流偏置电压时，产生的微波光子会在这个非线性系统中产生上下变频，使超导微波谐振器对应的各阶谐振频率均有微波光子输出。并且提出了频率梳的注入锁定技术，这种技术可以用于检测未知信号。本发明的器件所产生的这些在频域上等间隔分布，且在时域上是周期性稳定脉冲的信号，符合频率梳信号的特点，本发明的器件具有损耗低、制作工艺简单且只需直流偏置等优点，十分利于片上高度集成。
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公开(公告)号：CN117808110A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311543390.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 谷歌有限责任公司
Inventor： A·E·梅格兰特
Abstract: 一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，并且超导体层的至少一部分与电介质衬底的表面接触，并且其中超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导体特性的超导体材料形成；电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，并且其中沟槽的电容率小于电介质衬底的电容率。
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公开(公告)号：CN117460400A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311327073.7
申请日：2023-10-13
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种量子芯片、量子电路及其制造方法，属于量子芯片制造领域。其中的量子电路的制造方法通过先后制造约瑟夫森结以及与结配合的量子部件，并且制造约瑟夫森结通过剥离工艺实现，从而使得结以及基于其的量子电路、芯片的损耗降低，进而有助于避免因为损耗而引起的量子比特相干时间缩短。
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公开(公告)号：CN117015296B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311239727.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种新型超导量子电路及芯片，涉及超导量子技术领域，该超导量子电路包括：量子比特，包括比特电容和约瑟夫森结，比特电容包括两个独立的金属片，约瑟夫森结跨接在任一金属片和接地平面之间，两个金属片之间形成第一耦合电容，每一金属片与接地平面之间形成自电容；信号传输线，信号传输线与量子比特耦合。本发明能够避免Z控制线延伸至比特电容的中心区域，具有更小的比特电容的尺寸，有利于提高芯片的集成度，设计灵活，降低了设计复杂度。
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