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公开(公告)号：CN118946245A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410884348.5
申请日：2024-07-03
摘要： 本发明提供一种量子芯片的封装装置、集成电路和装配方法，量子芯片的封装装置包括：转接组件，包括相对的第一面和第二面，第一面与量子芯片电连接，第二面上形成有多个第二电触点；电路板，设有多个第一电触点；多个连接件及多个连接座，每个连接件的一端插入每个连接座的凹槽内，每个连接件的由每个连接座凸出的另一端适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的一个上，每个连接座适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的另一个上；其中，每个连接件与每个凹槽接触的区域填充有导电填充物，以增加每个连接件与每个凹槽的电接触面积，降低了接触电阻，从而降低了量子芯片的封装装置内的发热量。
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公开(公告)号：CN113764568B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111160301.7
申请日：2021-09-30
申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种超导量子芯片封装电路板及其制造方法和一种量子器件，以解决现有技术中的不足，它提供了一种具有金属屏蔽结构的超导量子芯片封装电路板及其制造方法和一种量子器件。所述超导量子芯片封装电路板，包括：第一金属基板；被绝缘层包裹的信号传输线；与第一金属基板层叠的第二金属基板，信号传输线位于所述第一金属基板、所述第二金属基板之间，本发明通过在第一金属基板、第二金属基板之间构建被绝缘层包裹的信号传输线，利用第一金属基板、第二金属基板组成金属屏蔽结构，提高了封装电路板屏蔽外界干扰的能力，超导量子芯片的传输信号在封装电路板内部的信号传输线中传递时，不易受外界噪声的干扰，提高了信号传输的稳定性。
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公开(公告)号：CN118201469B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410621048.8
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供了一种平面约瑟夫森结及其制备方法、约瑟夫森结阵列，平面约瑟夫森结形成在衬底的一个表面上，所述表面具有第一部分和第二部分，第一部分向上延伸形成凸台，凸台的侧面与第二部分的夹角大于0°且小于等于90°，平面约瑟夫森结包括：第一超导层，设置在凸台上；以及第二超导层，设置在第二部分上；其中，第一超导层和第二超导层之间形成间隙，所述间隙在竖直方向上的长度小于第一超导层和第二超导层所采用的超导材料的超导相干长度。在第一超导层和第二超导层处于超导转变温度以下的情况下，通过向第一超导层或第二超导层通入电流，使通入电流的超导层中的库珀产生量子隧穿效应，穿过间隙，进入到另一个超导层，形成约瑟夫森电流。
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公开(公告)号：CN118591268A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410712064.8
申请日：2024-06-04
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于半悬浮桥制备平面约瑟夫森结的方法，属于电子芯片技术领域。本发明的方法包括选用蓝宝石衬底作为基片，并对蓝宝石表面进行预处理；采用直流磁控溅射在蓝宝石衬底上生长Nb薄膜；采用紫外光刻显影技术在蒸镀完的Nb薄膜上制备微米桥图形；反应离子刻蚀出微米桥的结构；在基片上旋涂双层光刻胶；采用紫外曝光技术曝光光刻胶，并显影形成半悬浮桥结构；双角度电子束蒸镀铝掩膜；反应离子刻蚀成铌微桥结。本发明主要是利用双层光刻胶溶解速率的不同，实现一个半悬浮桥结构，利用双角度电子束蒸发制备铝掩膜，来缩短平面沟道长度，突破了传统紫外光刻机分辨率的限制，工艺流程简单、周期短、实用性强、成本低。
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公开(公告)号：CN115050886B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110264015.9
申请日：2021-03-09
申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子芯片及制备方法，包括一基础衬底，所述基础衬底上形成有信号传输线；至少一绝缘衬底，位于所述基础衬底上，所述绝缘衬底上形成有量子比特和贯穿所述绝缘衬底的通孔，所述通孔内形成有金属件，所述金属件的两端分别电连接所述信号传输线和所述量子比特，实现所述信号传输线和所述量子比特之间的信号传输，组成位于不同层的完整的量子比特电路，同时叠层多个绝缘衬底用于形成位于不同层上的量子比特，共同形成量子比特数量易于扩展的量子芯片，提高了量子芯片的集成度。
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公开(公告)号：CN116169096B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210972234.7
申请日：2022-08-12
申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H10N60/80 , H10N60/82 , H10N60/01 , H10N60/10
摘要： 本申请公开了一种超导互连结构及超导量子电路的制备方法，涉及硅通孔互连结构技术领域。本申请先在衬底上形成盲孔，然后将熔融的超导材料填入所述盲孔形成超导元件，再在所述盲孔的底部的一侧减薄所述衬底以使该盲孔形成贯穿衬底的通孔，由此即可获得贯穿衬底的超导互连结构，可以基于该超导互连结构使通孔两端的衬底表面的电路互连。本申请的方案中，熔融的超导材料填充盲孔后减薄的方式耗时短、效率高，有助于实现基于TSV的超导互连结构的快速制备。
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公开(公告)号：CN116306954B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310135609.9
申请日：2023-02-10
申请人： 北京百度网讯科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种远距离的超导量子比特耦合结构和超导量子芯片，涉及量子计算技术领域，具体涉及量子芯片技术领域。具体实现方案为：包括两个超导量子比特单元，超导量子比特单元包括两个第一金属极板和四个第二金属极板，每个第二金属极板形成的凹槽位置包围第一金属极板的端部设置，四个第二金属极板形成与量子比特耦合的耦合端口的结构尺寸相同；超导量子比特耦合结构还包括：第三金属极板和第四金属极板，两个超导量子比特单元中相对设置的耦合端口通过第三金属极板相互连接，且与第四金属极板形成耦合器的电容器版图结构；两个超导量子比特单元中两个量子比特的几何中心间隔在以2020um为中心正负偏离第一预设值的取值范围内。
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公开(公告)号：CN118206067A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410621099.0
申请日：2024-05-20
申请人： 北京量子信息科学研究院
摘要： 本申请涉及一种基于半导体薄膜的压力传感器芯片及其制备方法，该压力传感器芯片包括：衬底硅片；半导体薄膜，位于衬底硅片的第一表面上，其中，半导体薄膜包括刻蚀所述衬底硅片的第二表面直至所述半导体薄膜形成的悬空部分，所述悬空部分能够在压力作用下产生形变；以及约瑟夫森结，设置于所述悬空部分表面的中心位置，其中，所述约瑟夫森结的结面积在所述悬空部分产生形变的情况下发生改变。根据本申请提供的方案，压力传感器芯片上形成包括半导体薄膜和约瑟夫森结的微纳结构，依靠微纳结构的变化测量压力大小，在实际应用中具有很好的耐环境性与可靠性。并且，通过设置不同的微纳结构，在提高探测灵敏度的同时，能够增加工作压力区间和稳定性。
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公开(公告)号：CN118201469A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410621048.8
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供了一种平面约瑟夫森结及其制备方法、约瑟夫森结阵列，平面约瑟夫森结形成在衬底的一个表面上，所述表面具有第一部分和第二部分，第一部分向上延伸形成凸台，凸台的侧面与第二部分的夹角大于0°且小于等于90°，平面约瑟夫森结包括：第一超导层，设置在凸台上；以及第二超导层，设置在第二部分上；其中，第一超导层和第二超导层之间形成间隙，所述间隙在竖直方向上的长度小于第一超导层和第二超导层所采用的超导材料的超导相干长度。在第一超导层和第二超导层处于超导转变温度以下的情况下，通过向第一超导层或第二超导层通入电流，使通入电流的超导层中的库珀产生量子隧穿效应，穿过间隙，进入到另一个超导层，形成约瑟夫森电流。
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