本申请涉及一种基于半导体薄膜的压力传感器芯片及其制备方法，该压力传感器芯片包括：衬底硅片；半导体薄膜，位于衬底硅片的第一表面上，其中，半导体薄膜包括刻蚀所述衬底硅片的第二表面直至所述半导体薄膜形成的悬空部分，所述悬空部分能够在压力作用下产生形变；以及约瑟夫森结，设置于所述悬空部分表面的中心位置，其中，所述约瑟夫森结的结面积在所述悬空部分产生形变的情况下发生改变。根据本申请提供的方案，压力传感器芯片上形成包括半导体薄膜和约瑟夫森结的微纳结构，依靠微纳结构的变化测量压力大小，在实际应用中具有很好的耐环境性与可靠性。并且，通过设置不同的微纳结构，在提高探测灵敏度的同时，能够增加工作压力区间和稳定性。