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公开(公告)号：CN118198064B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410620492.8
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/16 , H01L21/82
摘要： 本发明提供一种石墨烯基全碳逻辑电路及其制备方法，石墨烯基全碳逻辑电路包括两个半导体石墨烯‑准悬浮石墨烯的场效应管，两个场效应管以共用一个源极的形式相连，每个场效应管包括：衬底；介电层，设置在衬底上，介电层与衬底之间形成半导体石墨烯沟道；栅极，设置在介电层上，在源极和栅极之间的电压差满足阈值电压的情况下，半导体石墨烯沟道中的电流降低，使得场效应管处于关态；两个准悬浮石墨烯电极，均设置在衬底上，且分别位于半导体石墨烯沟道的两侧，准悬浮石墨烯电极被配置为将半导体石墨烯沟道的信号引出；在两个场效应管均处于关态的情况下，石墨烯基全碳逻辑电路被配置为输出高电平信号。
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公开(公告)号：CN118206110A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410620506.6
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： C01B32/194 , C01B32/182 , B82Y40/00 , H01L29/16 , H10N52/00 , H10N52/85
摘要： 本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶，半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米，且生长在碳化硅衬底表面，半导体石墨烯的带隙在大于0.6 eV且小于等于1.2 eV的范围内可调。本发明还提供了一种由带隙可调的半导体石墨烯制成的电子器件以及该电子器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN118201480A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620495.1
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 本发明提供一种碳基无源器件以及碳基无源器件的制备方法，碳基无源器件的制备方法包括：利用第一电子束对涂覆在衬底上的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在碳电极上的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将石墨烯结构转移到碳绝缘层上，对石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯电极，从而形成碳基无源器件，由碳基无源器件的制备方法构建的全碳无源器件性能稳定，且无需其他半导体加工工艺再次加工，具有优异的实用价值。
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公开(公告)号：CN118198064A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620492.8
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/16 , H01L21/82
摘要： 本发明提供一种石墨烯基全碳逻辑电路及其制备方法，石墨烯基全碳逻辑电路包括两个半导体石墨烯‑准悬浮石墨烯的场效应管，两个场效应管以共用一个源极的形式相连，每个场效应管包括：衬底；介电层，设置在衬底上，介电层与衬底之间形成半导体石墨烯沟道；栅极，设置在介电层上，在源极和栅极之间的电压差满足阈值电压的情况下，半导体石墨烯沟道中的电流降低，使得场效应管处于关态；两个准悬浮石墨烯电极，均设置在衬底上，且分别位于半导体石墨烯沟道的两侧，准悬浮石墨烯电极被配置为将半导体石墨烯沟道的信号引出；在两个场效应管均处于关态的情况下，石墨烯基全碳逻辑电路被配置为输出高电平信号。
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公开(公告)号：CN116544279A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310482306.4
申请日：2023-04-30
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/51
摘要： 本发明公开了一种全碳石墨烯器件及其制备方法，利用电子束诱导光刻胶直接得到图形化碳材料的方法，通过控制电子束诱导工艺参数分别制备导电性良好的碳电极与绝缘性优异的碳绝缘层，作为全碳器件的电极及绝缘层，利用石墨烯作为全碳器件的功能部分，通过上述各部分来完成全碳器件的制备。经过该方法制备的碳材料性能优异稳定，且无需其他半导体加工工艺再次加工，可直接作为组成全碳器件的部分并实现器件性能；本发明节省了全碳器件的制备步骤，降低了全碳器件的制备成本。
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公开(公告)号：CN104971717A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510357572.X
申请日：2015-06-25
申请人： 天津大学
CPC分类号： Y02P20/52
摘要： 本发明公开了一种Pt修饰的ZnO/Al2O3催化剂及其制备方法和应用，该催化剂以Al2O3为载体，负载活性组分ZnO，少量Pt为助剂；其中Zn的质量百分含量为1％-30％，Pt的质量百分含量为0.03％-0.3％；该催化剂制备时采用共浸置方法，将Al2O3载体浸置于硝酸锌和氯铂酸水溶液中，干燥焙烧，得到Pt-ZnO/Al2O3催化剂。本发明的催化剂具有高活性和高稳定性，价格低廉，毒性小。本发明的催化剂适用于低链烷烃脱氢制烯烃反应，特别是临氢气氛下的丙烷脱氢制丙烯，在高温条件下脱氢活性很高，丙烯选择性可达到95％以上，并具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN118197916B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410620254.7
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/263 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种利用电子束图案化半导体石墨烯的样品处理方法、样品和石墨烯晶体管，可以应用于微纳电子器件技术领域。该方法包括：在碳化硅衬底的表面生长半导体石墨烯；按照预定图案，确定位于半导体石墨烯表面的目标区域；通过使用电子枪，对目标区域，辐照目标电子束，去除目标区域的半导体石墨烯，使非目标区域的半导体石墨烯的图案与预定图案相对应，得到目标样品。
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公开(公告)号：CN118197919B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410620514.0
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L27/088
摘要： 本发明提供一种基于二维材料的电路元件的制备方法和逻辑电路，基于二维材料的电路元件的制备方法包括：在衬底上生长二维材料；在衬底上形成覆盖二维材料的第一介电层；按照预定图形，去除位于衬底上的目标区域的第一介电层材料和二维材料，得到图形化的第一介电层和位于图形化的第一介电层下的二维材料，其中，目标区域的形状与预定图形相对应；在图形化的第一介电层上和目标区域上形成金属层，得到基于二维材料的电路元件，避免了整个工艺过程中对二维材料的影响，保证了二维材料的性能的完整，使得基于二维材料的电路元件具有优异的高算力和低功耗性能，并避免了复杂的工艺流程。
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公开(公告)号：CN118197912B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410620503.2
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供了一种碳质电极的制备方法、碳质电极和石墨烯基场效应管，可以应用于微纳电子器件技术领域。该碳质电极的制备方法包括：根据待制备的碳质电极的目标厚度和目标导电参数，利用第一有机溶剂对光刻胶进行稀释，得到与碳质电极的目标厚度和目标导电参数对应的目标光刻胶，其中，第一有机溶剂包括有机醇类和二甲基亚砜中的至少一种；将目标光刻胶涂覆在第一基底表面；通过使用目标电子束对位于第一基底表面的目标光刻胶进行辐照，使位于第一基底表面的目标光刻胶由正性改性为负性，得到中间样品；对中间样品进行高温退火处理，得到具有目标厚度和目标导电参数的目标碳质电极。
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公开(公告)号：CN118201475A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620512.1
申请日：2024-05-20
申请人： 天津大学
摘要： 本发明提供一种石墨烯基全碳忆阻器及其制备方法，石墨烯基全碳忆阻器的制备方法包括：将第一石墨烯结构转移到衬底上，对第一石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯沟道；利用第一电子束对涂覆在石墨烯沟道两侧的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在石墨烯沟道的顶部的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将第二石墨烯结构转移到碳绝缘层上，对第二石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯栅极；在碳电极的外侧和石墨烯栅极上制备连接电极，得到石墨烯基全碳忆阻器，性能稳定，能够实现多种电阻状态，且具有切换耐久性。
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