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公开(公告)号：CN118042918A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410034833.3
申请日：2024-01-10
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种极低温下零磁场的超导二极管装置及其超导测试方法，装置包括电子传输层设置的2M WS2，所述2M WS2封装于六角氮化硼之间，所述2M WS2和六角氮化硼构成范德瓦尔斯异质结，所述范德瓦尔斯异质结的上层和下层设置石墨，所述范德瓦尔斯异质结的周围设置源极和漏极以及侧方电极。通过六角氮化硼BN封装2MWS2并且用石墨作为顶栅和背栅构成双栅调控，有效地提高2M WS2的载流子浓度和迁移率；测试过程中无需设置磁场条件即可实现超导二极管效应；通过改变电流方向，实现2M WS2在超导态和金属态之间转换，构成非互易电子输运的超导二极管器件。
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公开(公告)号：CN117598047A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202180100050.5
申请日：2021-06-29
申请人： 微软技术许可有限责任公司
摘要： 描述了一种半导体器件(100)，包括：具有表面的衬底(110)；布置在衬底的表面上的台地，台地具有周界；以及一个或多个栅极电极(142)。该台地能够通过选择性区域生长获得，并包括用于承载二维电子气或二维空穴气的半导体异质结构。该一个或多个栅极电极被配置为电耗尽半导体异质结构(122、124、126)的部分，以限定半导体异质结构的有源区的边界，该边界与台地的周界间隔开。通过使用选择性区域生长的台地并静电地限定有源区的边界，可以获得改进的电子特性，例如通过避免电荷载流子的扩散散射。还提供了一种用于制造该器件的方法，以及一个或多个栅极电极的限定半导体部件的有源区的用途。
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公开(公告)号：CN117494820A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210882273.8
申请日：2022-07-22
申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子芯片及量子计算机，属于量子计算技术领域。所述量子芯片包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有第一量子比特；以及，第二衬底，所述第二衬底上形成有第二量子比特，且所述第二量子比特和所述第一量子比特相互耦合。所述量子计算机中设置有如上所述的量子芯片。本申请通过第一衬底上形成的第一量子比特和第二衬底上形成的第二量子比特形成相互耦合，从而实现将多个形成有量子比特的衬底进行集成，进而有助于实现大规模量子比特的扩展。
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公开(公告)号：CN115666213A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211329048.8
申请日：2022-10-27
申请人： 阿里巴巴达摩院(杭州)科技有限公司
发明人： 应马可
摘要： 本发明公开了一种超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：将第一超导薄膜所处的第一气氛环境由第一温度升高至第二温度，使第一超导薄膜处于第二气氛环境，其中，第一超导薄膜为沉积在衬底上的超导材料；在第二气氛环境达到第二温度后，向第二气氛环境中持续通入氢原子并维持预定时长，使第一超导薄膜处于第三气氛环境，以使得氢原子填入第一超导薄膜的微观尺度上的晶体结构缺陷，其中，第二温度用于维持氢原子的自由状态；在预定时长之后，将第三气氛环境的温度由第二温度降低至第三温度，制备得到第二超导薄膜，其中，第三温度低于第一温度。本发明解决了量子电路中采用的超导薄膜的动态电感不够高的技术问题。
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公开(公告)号：CN118678872A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410687577.8
申请日：2024-05-30
申请人： 西安热工研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种三层套刻结构的高温超导薄膜的制备方法和应用，包括，首先制备图形化的底层YBCO超导薄膜，然后在底层图形化YBCO薄膜基础上继续外延生长具有两个微孔窗口的绝缘层薄膜，最后制备顶层YBCO线条连结两个微孔窗口，利用两个微孔窗口构建顶层和底层YBCO超导连结的通道，并期望除了微孔以外被绝缘层覆盖的其他区域能够达到对上下层超导薄膜绝缘的目的。该种结构可以实现顶层和底层超导仅仅通过中间微孔连通，不会造成短路现象。
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公开(公告)号：CN117812992B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410217008.7
申请日：2024-02-28
申请人： 西湖大学
摘要： 本发明涉及一种不依赖磁场的本征超导二极管器件及其制备方法，整个超导二极管器件从上到下依次包括金属性电极层、范德瓦尔斯超导材料层、衬底层，其中金属性电极层用电子束蒸镀所得到；范德瓦尔斯超导材料层通过胶带解离块材样品得到。本发明未采用任何异质结构，利用单一的超导材料制备成本征超导二极管，这种超导二极管在零磁场的环境下就可以有效工作。
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公开(公告)号：CN117396061A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210760759.4
申请日：2022-06-30
申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种电路组件、超导量子干涉仪及其制作方法，属于量子芯片制造领域。电路组件包括第一导体元件、第二导体元件以及具有多个约瑟夫森结的多结元件。其中多结元件的第一电极与第一导体元件连接，其中的多个第二电极中的被选择的一个或多个用于第二导体元件连接。由于该电路组件中具有多个约瑟夫森结，因此可以通过对结进行筛选，以便获得了满足要求的结之后，将与这些合格的结对应的第二电极与第二导体元件进行连接。如果，将这样的电路组件应用到量子器件中可以提高其制作的成功率，同时以便于降低制作成本、缩短制作周期。
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公开(公告)号：CN114930739B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202080090969.6
申请日：2020-12-28
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
摘要： 微波光子控制装置具备并列地与供微波光子传播的波导分别连接的第一量子比特和第二量子比特、以及所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的直接耦合。第一量子比特与第二量子比特的间隔为微波光子的波长的(1/4+n/2)倍(n为0以上的整数)。在第一量子比特与第二量子比特之间形成量子纠缠状态。直接耦合消除第一量子比特与第二量子比特之间的经由波导进行的耦合。微波光子控制装置通过对第一量子比特及第二量子比特的弛豫速率以及量子纠缠状态的相位进行控制，由此切换第一动作模式、第二(56)对比文件：Y.Chen,C.Neill,P.Roushan,N.Leung,M.Fang,R.Barends,J.Kelly,B.Campbell,Z.Chen,B.Chiaro,A.Dunsworth,E.Jeffrey,A.Megrant,J.Y.Mutus,P.J.J.O.QubitArchitecture with High Coherence and FastTunable Coupling《.Phys.Rev.Lett.113》.2014,第113页.
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