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公开(公告)号：CN119451552A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411542216.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导微米线单光子探测器件及其制备方法，通过刻蚀超导微米线的直线部，形成具有一定宽度和深度的直凹槽区和过渡区，同时，控制直凹槽区的刻蚀深度，使得该区域的临界电流低于弯角区的临界值，有效缓解弯角区因高占空比造成的“电流拥挤效应”。本发明能够提升超导微米线的量子效率，且结构简单，实现工艺便捷，易于拓展成具有大光敏面积的探测器，在量子光学、激光测距、暗物质探测等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN111864048B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010505137.8
申请日：2020-06-05
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种基于超导桥结的串联超导量子干涉器阵列制备方法及结构。基于超导桥结的串联超导量子干涉器阵列结构具有纳米桥结构，形成了多个串联的SQUID阵列。从而，具有结电流密度高、寄生电容小的特点。通过具有纳米结的串联超导量子干涉器阵列结构可以缩小到纳米级，具有更高的抗外界磁场干扰的能力。通过串联的SQUID阵列，使得基于超导桥结的串联超导量子干涉器阵列结构的整个系统具有更大的带宽，避免阻抗匹配问题，工作频率范围大大增加。从而，使得制备获得的基于超导桥结的串联超导量子干涉器阵列结构具有更强的抗干扰能力、更高的带宽和更好的输出信噪比。
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公开(公告)号：CN119156122A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310717895.X
申请日：2023-06-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种超导量子干涉电路及集成芯片。电路包括：第一超导量子干涉器件；正反馈电路，包括与第一超导量子干涉器件的耦合极性为正的第一电感线圈；负反馈电路，包括与第一超导量子干涉器件的耦合极性为负的第二电感线圈；反馈极性调整模块，用于为正反馈电路和负反馈电路的其中一个提供关断信号，以使正反馈电路和负反馈电路的其中一个与第一超导量子干涉器件非耦合，另一个与第一超导量子干涉器件耦合。根据本申请实施例，能够对超导量子干涉器件与反馈电路之间的耦合极性进行正负切换，以适应于不同应用场景，提升超导量子干涉电路的适用性和多功能性。
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公开(公告)号：CN118946245A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410884348.5
申请日：2024-07-03
Abstract: 本发明提供一种量子芯片的封装装置、集成电路和装配方法，量子芯片的封装装置包括：转接组件，包括相对的第一面和第二面，第一面与量子芯片电连接，第二面上形成有多个第二电触点；电路板，设有多个第一电触点；多个连接件及多个连接座，每个连接件的一端插入每个连接座的凹槽内，每个连接件的由每个连接座凸出的另一端适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的一个上，每个连接座适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的另一个上；其中，每个连接件与每个凹槽接触的区域填充有导电填充物，以增加每个连接件与每个凹槽的电接触面积，降低了接触电阻，从而降低了量子芯片的封装装置内的发热量。
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公开(公告)号：CN115407110B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210910315.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法。一个第一环路电极、一个第一约瑟夫森结构与一个第二约瑟夫森结构形成的SQUID环路。通过负极连接结构与正极连接结构连接相邻的两个SQUID环路，形成SQUID阵列。通过环路电极将第一约瑟夫森结构与第二约瑟夫森结构连接，使得SQUID环路中形成串联电感结构。因此，通过一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列，采用一阶梯度简单结构，耦合结构简单，有效抵消外界磁场干扰。SQUID环路与输入线圈和反馈线圈的耦合方式均采用上下重叠耦合方式，且SQUID环路通过串联电感的方式，增大了与输入线圈和反馈线圈的耦合面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169096B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210972234.7
申请日：2022-08-12
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H10N60/80 , H10N60/82 , H10N60/01 , H10N60/10
Abstract: 本申请公开了一种超导互连结构及超导量子电路的制备方法，涉及硅通孔互连结构技术领域。本申请先在衬底上形成盲孔，然后将熔融的超导材料填入所述盲孔形成超导元件，再在所述盲孔的底部的一侧减薄所述衬底以使该盲孔形成贯穿衬底的通孔，由此即可获得贯穿衬底的超导互连结构，可以基于该超导互连结构使通孔两端的衬底表面的电路互连。本申请的方案中，熔融的超导材料填充盲孔后减薄的方式耗时短、效率高，有助于实现基于TSV的超导互连结构的快速制备。
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公开(公告)号：CN118042917A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410034831.4
申请日：2024-01-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种一维边缘电接触封装的拓扑超导体结构，结构包括由拓扑超导体构成的电子传输层，所述拓扑超导体置于六角氮化硼之间，构成范德瓦尔斯异质结，所述范德瓦尔斯异质结的下方设置重掺杂硅，所述范德瓦尔斯异质结的顶部设置蒸镀金属，所述范德瓦尔斯异质结周围设置金属电极。通过一维电接触成功实现了封装过程与蒸镀过程的完全分离，保证了核心材料层的原始环境，从而提高了栅极调控的效率；由于材料的边缘拓扑性质，一维边缘电接触性能优异，最低接触电阻率达40Ω·μm，极大地降低接触电阻；此类结构适用于2M相WS2、WSe2、WTe2、MoTe2等多种拓扑超导体，器件制备简单，具有大规模推广应用的前景。
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公开(公告)号：CN117979816A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410150073.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本申请公开了一种量子芯片封装基板及量子计算机；涉及量子芯片领域，解决量子比特需求的增加带来的集成度低及增加串扰的问题，本申请在信号传输线周围与金属化孔处设置回流地孔，减小地回流的阻抗，降低串扰，改善信号质量。通过在过孔换层处，设置回流地孔，可以消除过孔带来的谐振。基板的顶层设置有保护地线，可以提供一种电磁屏蔽的保护，降低基板上信号传输线的串扰影响，提高信号传输线的稳定性和减小信号传输线之间的串扰。另外，增加回流地孔和保护地线不仅可以减小串扰问题，从传热的角度也增加了大量传热路径，采用信号传输线打回流地孔，在减小串扰的基础上，对基板进行高密度布线，提高集成度。
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公开(公告)号：CN117858614A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311715360.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及量子芯片技术领域，具体涉及一种量子芯片介质层的刻蚀方法、量子芯片，所述量子芯片具有衬底，包括：以氧气的比例在第一预设范围的第一刻蚀气体对所述衬底上的介质层进行一次刻蚀；其中，所述第一预设范围为10％‑20％，所述第一刻蚀气体为四氟化碳与氧气混合的气体；以氧气的比例在第二预设范围的第二刻蚀气体对所述介质层进行二次刻蚀，得到刻蚀的量子芯片介质层，其中，所述第二刻蚀气体为六氟化硫与氧气混合的气体，所述第二预设范围为0％‑10％，当氧气的比例为0％时，所述第二刻蚀气体为六氟化硫，本申请通过上述方式实现了刻蚀工艺的优化，避免了介质层刻蚀过程中的存在刻蚀残留。
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公开(公告)号：CN117835801A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311698373.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种空气桥及提高空气桥稳定性的方法，属于量子计算机制造领域。提高空气桥稳定性的方法包括：获得用于制造空气桥的第一掩膜；加热第一掩膜以获得第二掩膜；通过第二掩膜依次执行沉积和图案化制得空气桥；空气桥的桥面和桥墩之间具有由所述曲线状弯曲的轮廓限定的弯曲分离迹线。通过上述方式制造空气桥能够使得空气桥的结构更稳定，不容易发生桥面塌陷的问题。
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