一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN115407110B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202210910315.4

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法。一个第一环路电极、一个第一约瑟夫森结构与一个第二约瑟夫森结构形成的SQUID环路。通过负极连接结构与正极连接结构连接相邻的两个SQUID环路,形成SQUID阵列。通过环路电极将第一约瑟夫森结构与第二约瑟夫森结构连接,使得SQUID环路中形成串联电感结构。因此,通过一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列,采用一阶梯度简单结构,耦合结构简单,有效抵消外界磁场干扰。SQUID环路与输入线圈和反馈线圈的耦合方式均采用上下重叠耦合方式,且SQUID环路通过串联电感的方式,增大了与输入线圈和反馈线圈的耦合面积。

    一种基于量子霍尔电阻的高温超导量子电压噪声温度计

    公开(公告)号:CN118424493A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410635758.6

    申请日:2024-05-22

    IPC分类号: G01K7/30 G01K15/00

    摘要: 本发明公开一种基于量子霍尔电阻的高温超导量子电压噪声温度计,包括量子霍尔电阻、高温超导量子电压赝噪声源、开关转换电路、两路放大滤波电路、数据采集处理电路;开关转换电路的输入端分别与量子霍尔电阻、高温超导量子电压赝噪声源的输出端电连接,输出端依次与放大滤波电路、数据采集处理电路电连接;数据采集处理电路包括两个模数转换器和数据处理电路,每个模数转换器的输入端与一路放大滤波电路输出端电连接。本发明采用基于脉冲驱动的高温超导约瑟夫森阵列的高温超导量子电压噪声源器件作为参考噪声源,可工作在液氮温区,制冷成本低,体积小,并采用量子霍尔电阻作为电阻探测器,可实现低温强磁场环境下的温度原位校准。

    石墨烯氯氧铬异质结量子霍尔电阻的量子电压噪声温度计

    公开(公告)号:CN118424492A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410635757.1

    申请日:2024-05-22

    IPC分类号: G01K7/30 H10N52/00 H10N52/85

    摘要: 本发明公开石墨烯氯氧铬异质结量子霍尔电阻的量子电压噪声温度计,包括异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源、开关转换电路、两路放大滤波电路、数据采集处理电路;开关转换电路的输入端分别与异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源的输出端电连接,输出端依次与放大滤波电路、数据采集处理电路电连接;数据采集处理电路包括两个模数转换器和数据处理电路,每个模数转换器的输入端与一路放大滤波电路输出端电连接,输出端与数据处理电路电连接。本发明采用大面积石墨烯/一氧一氯化铬异质结量子霍尔电阻作为电阻探测器,横向电导量子化可以在很小的磁场下发生,可实现在宽强磁场范围和宽低温范围内原级温度测量。

    超导器件测试探杆
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111856370B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202010533473.3

    申请日:2020-06-12

    摘要: 本申请提供了一种超导器件测试探杆,包括:测试杆本体、导热样品台以及温度测控模组。所述测试杆本体具有一个测试端。所述导热样品台与所述测试端固定连接。所述温度测控模组固定于所述导热样品台。所述温度测控模组用于测量并控制所述导热样品台的温度。本申请将所述导热样品台固定于所述测试杆本体的测试端,并将所述温度测控模组固定于所述导热样品台,利用所述导热样品台的良好导热性能,使得所述温度测控模组通过测量并控制所述导热样品台的温度,实现对待测超导器件的精确控温,从而保障了所述待测超导器件的测试效果。

    超导器件测试探杆
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111856370A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010533473.3

    申请日:2020-06-12

    摘要: 本申请提供了一种超导器件测试探杆,包括:测试杆本体、导热样品台以及温度测控模组。所述测试杆本体具有一个测试端。所述导热样品台与所述测试端固定连接。所述温度测控模组固定于所述导热样品台。所述温度测控模组用于测量并控制所述导热样品台的温度。本申请将所述导热样品台固定于所述测试杆本体的测试端,并将所述温度测控模组固定于所述导热样品台,利用所述导热样品台的良好导热性能,使得所述温度测控模组通过测量并控制所述导热样品台的温度,实现对待测超导器件的精确控温,从而保障了所述待测超导器件的测试效果。

    一种集成额外正反馈电路的分立式重叠耦合SQUID阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN118584405A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410764087.3

    申请日:2024-06-13

    摘要: 本申请涉及一种集成额外正反馈电路的分立式重叠耦合SQUID阵列及制备方法,包括多个呈阵列设置的感应单元,每一感应单元包括垫圈环路电极以及设置于垫圈环路电极表面,并与垫圈环路电极之间绝缘设置的输入环路、APF环路和反馈环路。其中,APF环路和反馈环路与输入环路相邻且间隔设置,且以输入环路为中心,APF环路和反馈环路对称设置。多个感应单元中至少两个感应单元构成串联感应组、且多个感应单元中至少包括一组串联感应组,同一串联感应组中不同感应单元的APF环路之间串联设置。通过设置APF环路增加正反馈,再调整串联感应组的磁通电压转换系数与未串联的单个感应单元一致,保障线性磁通范围,提升了集成额外正反馈电路的分立式重叠耦合SQUID阵列的性能。

    超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器

    公开(公告)号:CN111640854B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202010418817.6

    申请日:2020-05-18

    摘要: 本申请涉及一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器,采用溅射沉积的方式,并根据金属合金靶材的本身热扩散程度较小的特点,设置溅射气压设置、溅射功率,可以使得第一薄膜层成膜密度更高、成膜均匀性更好。由于第一薄膜层为金属合金层,原子间不易扩散,使得本身热扩散程度较小,进而避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散,使得超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面,进而有助于超导效应的发挥,保证了超导转变边沿探测器的长期稳定性。由于避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散,制备时不会受到热处理等步骤的影响,仍然可以确保超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面。

    一种约瑟夫森结器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115411172A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211192423.9

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: H01L39/24 H01L39/22 H01L39/02

    摘要: 本申请实施例提供了一种约瑟夫森结器件及其制备方法,包括:在衬底上依次形成第一膜层,第二膜层和第三膜层的叠层结构,第二膜层的材料包括铝和氧化铝,第一膜层和第三膜层的材料包括铌,刻蚀第三膜层,以便形成叠层结构的约瑟夫森结区,以叠层结构为阳极,以第一金属材料作为阴极,将叠层结构和第一金属材料放入氧化电解液,对第二膜层进行氧化,使用湿法腐蚀,去除部分第二膜层和第三膜层,形成约瑟夫森结器件,由此可见,本申请中利用氧化电解液对叠层结构进行氧化以形成氧化铝绝缘层,实时控制氧化过程,无需多次等离子体工艺,降低了约瑟夫森结中绝缘层在制备过程中被击穿的概率,避免约瑟夫森结短路,提高最终制备得到的量子器件的性能。

    一阶梯度并联型SQUID电流传感器以及制备方法

    公开(公告)号:CN115407109A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210910312.0

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本申请涉及一种一阶梯度并联型SQUID电流传感器以及制备方法。所述环路电极形成一个封闭环路。所述第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于所述环路电极。所述第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于所述环路电极。所述第一约瑟夫森结结构和所述第二约瑟夫森结结构间隔设置于所述环路电极,形成SQUID环路。此时,所述SQUID环路中所述第一约瑟夫森结结构和所述第二约瑟夫森结结构之间,形成了并联电感结构,可减小SQUID环路电感,使得SQUID工作时的临界电流范围更广,可以有效抵消外界磁场干扰。