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公开(公告)号：CN115298673A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022743.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了通过永磁通量元件促进量子调谐的系统和技术。在不同实施例中，系统可以包括量子位器件。在各个方面，该系统可以进一步包括具有第一磁通量的永磁体，其中该量子位器件的工作频率是基于该第一磁通量的。在不同情况下，该系统可进一步包括具有调谐该第一磁通量的第二磁通量的电磁体。在各种情况下，永磁体可以包括纳米颗粒磁体。在不同实施例中，该纳米颗粒磁体可以包括嵌入在硅基质中的锰纳米颗粒。在各个方面，系统还可以包括在存在第二磁通量的情况下向纳米颗粒磁体施加电流、从而改变第一磁通量的强度的电极。
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公开(公告)号：CN115295711A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210986697.9
申请日：2022-08-17
Applicant: 深圳量旋科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特结构，其包括：衬底；地电极，设置于所述衬底上；第一比特电极，设置于所述衬底上，且与所述地电极之间具有间隙；介质层，覆盖于所述第一比特电极上；第二比特电极，设置于所述介质层上，且延伸并与所述地电极接触电连接；超导金属结构，设置于所述间隙中，且分别与所述第一比特电极和所述地电极接触电连接。本发明还公开一种该超导量子比特结构的制作方法。本发明的超导量子比特结构及其制作方法，能够大幅度减小超导量子比特结构中电容电极的面积，从而利于集成小型化。进一步地，本发明的超导量子比特结构具有较好的电磁屏蔽环境，能够有效的减小多比特环境下比特之间的电磁串扰。
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公开(公告)号：CN115295534A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211221749.X
申请日：2022-10-08
Applicant: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本申请公开了一种倒装芯片和对准方法，属于量子芯片制造领域。倒装芯片包括对置的第一芯片和第二芯片。其中的第一芯片配置有第一标记部件，第二芯片具有透明衬底和形成于衬底的膜层。膜层具有面向第一标记部件的贯穿开口。该倒装芯片能够在制作过程中方便地执行对准操作，从而获得较高的对准质量，进而也有助于提高倒装芯片的良率。
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公开(公告)号：CN115132912A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210879903.6
申请日：2022-07-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结金属层镀膜方法。该方法包括以下步骤：将待镀膜对象移动至工艺腔内；将工艺腔的温度调整至第一温度，对对象进行镀膜；将工艺腔的温度调整至第二温度，并在工艺腔内对对象进行退火，第二温度大于第一温度。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法通过在第一温度的环境下对对象进行金属层的沉积镀膜，同时通过比第一温度高的第二温度、并在进行沉积的工艺腔内对沉积后的对象进行退火，即对对象进行原位退火，无需移动对象的位置，能够抑制丘状结构的形成和减少球状结构的体积，且能够改善形成的薄膜表面的纹理结构，降低薄膜的方块电阻，达到提升均匀度、降低粗糙度的目的。
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公开(公告)号：CN115101655A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210701390.X
申请日：2022-06-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种中红外波段的宽谱高效率探测器，自下而上依次包括硅片、反射层和介质层，介质层的表面设置U型超导纳米线，U型超导纳米线的开口端分别与金电极一、金电极二相连，U型超导纳米线的两侧对称设置金天线，金电极一与恒压源相连，金电极二接地。本发明还公开了一种中红外波段的宽谱高效率探测器的制备方法。本发明的基于金天线增强的超导纳米线单光子探测器，具有场增益高、光敏面积大、纳米线吸收效率高、本征量子效率高、极低填充率等特点，能够高效率的应用于中红外波段探测应用领域；与传统的光学腔超导单光子探测器相比，具有工艺制备可行性高、与平面工艺兼容性高、具备场增益等优点，可以探测更宽波段的中红外光信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084351A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210450870.3
申请日：2022-04-26
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明的目的在于提供高稳定性的多层高温超导纳米量子干涉器件制备方法，包括如下步骤：通过脉冲激光沉积在具有24°晶界角的STO双晶衬底上，外延生长出厚度为30纳米的C轴导向的YBCO薄膜；沉积3纳米的STO薄膜；继续直到形成120纳米的YBCO薄膜；原位蒸发的厚度为65nm金层作为分流电阻，以提供非失稳的电流‑电压特性IVC；在STO双晶的表面上形成16个宽度为8um的约瑟夫森结；通过聚焦离子束FIB用30keV的Ga离子制备高温超导纳米量子干涉器件；调制电流通过代表磁性纳米粒子耦合到高温超导纳米量子干涉器件的环里。本发明进而提高了器件的时间稳定性。
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公开(公告)号：CN114447204A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210371353.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种满足大晶圆尺寸的约瑟夫森结、制备方法和用途，在衬底上制备Ta（110）膜，光刻制备超导电路结构，掩膜光刻形成下电极Ta（110）层，下电极Ta（110）层表面制备Ta2O5氧化层作为中间层，掩膜光刻形成上电极Ta（110）层，制备得到所述的约瑟夫森结。本发明以Ta（110）超导薄膜作为约瑟夫森结的下电极和上电极，其表面的Ta2O5氧化层具有致密、稳定等特点，可采用食人鱼溶液进行钝化、优化，进一步去除光刻残胶，并保证超导电路结构及约瑟夫森结的稳定，具有工艺步骤简洁、稳定可控、集成度高等特点，可制备满足大晶圆尺寸范围内均一、稳定的约瑟夫森结，适用于不同面积的约瑟夫森结的调控。
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公开(公告)号：CN114375504A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080063813.9
申请日：2020-06-09
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
Inventor： D·I·皮库林 , G·C·加德纳 , R·L·卡拉赫 , G·W·温克勒 , S·V·格罗尼恩 , P·克罗格斯拉普·杰普森 , M·J·曼弗拉 , A·安提波夫 , R·M·卢钦
Abstract: 一种器件(3)，包括：半导体的部分(4)；超导体的部分(6)，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分(5)，包括原子序数Z大于或等于(26)的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。
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公开(公告)号：CN114171670A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111492417.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结、超导电路及其制备方法，该方法通过对约瑟夫森结的下电极采用分步溅射沉积的方法，在制备超导材料层之前，先对不同条件下单次溅射薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到不同溅射条件下薄膜应力和粗糙度的关系图；然后再选用合适的压/张应力的条件分步溅射薄膜，再对分步溅射的薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到此条件下薄膜粗糙度和应力，从而同时对薄膜应力和粗糙度进行了调控，获得应力和粗糙度极好的条件，使多次溅射的超导薄膜上粗糙度降低，可在保证约瑟夫森结质量的前提下使后续形成的势垒材料层厚度得到有效降低，从而可在高临界电流密度下依然获得高质量的约瑟夫森结，突破现有临界电流密度越高质量越差的情况。
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公开(公告)号：CN113937213A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111356064.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明提供一种集成式多通道SQUID芯片，所述集成式多通道SQUID芯片包括若干相互间隔设置的通道，若干所述通道按照n×n阵列排布，n≥2；各所述通道中的电路系统均为基于外部反馈模式的电路系统，其中的拾取线圈、输入线圈及二级反馈线圈首尾串联形成磁通探测回路，SQUID器件与所述输入线圈耦合，所述SQUID器件两端引线分别与运算放大器两输入端连接，所述运算放大器输出端依次连接有反馈电阻和一级反馈线圈，所述一级反馈线圈与二级反馈线圈耦合，用于传输反馈信号。本发明的集成式多通道SQUID芯片实现芯片的集成化与系统的小型化，同时达到了通道之间串扰率低于0.1％的目标，并提高了整个系统空间分辨率。
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