公开(公告)号：CN115050887A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210465732.2

申请日：2022-04-26

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 林建新 ,  史泽俊 ,  张德恒 ,  赵连君 ,  王琪旻 ,  秦晟昊

IPC: H01L39/24

Abstract: 本发明的目的在于提供自下而上的新型高温超导弱连接方法，通过脉冲激光沉积PLD在100取向的单晶STO衬底上外延生长厚度为120纳米的c轴取向YBCO薄膜，用银浆将基片安装在样品台上，并加热到800℃，在沉积过程中，基底温度和氧气压力固定在800℃和0.2mbar，沉积结束后，增加氧气压力到0.6大气压，冷却样品到450℃，样品在此保持90分钟，然后降低温度，直到达到室温，在YBCO薄膜沉积之后，通过电子束蒸发，在原地沉积厚度为45纳米的金膜作为分流层，用氩离子研磨来图案化16个微米的微桥，在双束FIB系统中用30keV的Ga离子束将单个选定的微桥图案化超导量子干涉器件。本发明能够完成大规模的约瑟夫森结制备，从而满足现在科学技术如超导量子计算机、量子传感技术的发展。

公开(公告)号：CN115084351A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210450870.3

申请日：2022-04-26

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 林建新 ,  秦晟昊 ,  史泽俊 ,  赵连君 ,  王琪旻 ,  张德恒

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  H01L39/22 ,  H01L39/02

Abstract: 本发明的目的在于提供高稳定性的多层高温超导纳米量子干涉器件制备方法，包括如下步骤：通过脉冲激光沉积在具有24°晶界角的STO双晶衬底上，外延生长出厚度为30纳米的C轴导向的YBCO薄膜；沉积3纳米的STO薄膜；继续直到形成120纳米的YBCO薄膜；原位蒸发的厚度为65nm金层作为分流电阻，以提供非失稳的电流‑电压特性IVC；在STO双晶的表面上形成16个宽度为8um的约瑟夫森结；通过聚焦离子束FIB用30keV的Ga离子制备高温超导纳米量子干涉器件；调制电流通过代表磁性纳米粒子耦合到高温超导纳米量子干涉器件的环里。本发明进而提高了器件的时间稳定性。