本发明的目的在于提供自下而上的新型高温超导弱连接方法，通过脉冲激光沉积PLD在100取向的单晶STO衬底上外延生长厚度为120纳米的c轴取向YBCO薄膜，用银浆将基片安装在样品台上，并加热到800℃，在沉积过程中，基底温度和氧气压力固定在800℃和0.2mbar，沉积结束后，增加氧气压力到0.6大气压，冷却样品到450℃，样品在此保持90分钟，然后降低温度，直到达到室温，在YBCO薄膜沉积之后，通过电子束蒸发，在原地沉积厚度为45纳米的金膜作为分流层，用氩离子研磨来图案化16个微米的微桥，在双束FIB系统中用30keV的Ga离子束将单个选定的微桥图案化超导量子干涉器件。本发明能够完成大规模的约瑟夫森结制备，从而满足现在科学技术如超导量子计算机、量子传感技术的发展。