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公开(公告)号：CN102005382A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010269392.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/31 , G03F7/26 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0338
Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。
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公开(公告)号：CN114651338A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080076404.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了一种主动冷却结构(200，200a)，包括非超导体层(220)、超导体层(210)以及超导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列(240)。所述非超导体层可以包括多个非超导体迹线(222)。所述超导体层可以包括多个超导体迹线(212)。所述超级导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列可以位于所述多个非超导体迹线与所述多个超导体迹线之间。
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公开(公告)号：CN114616685A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076619.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L39/24 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/28 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58 , C23C28/00
Abstract: 沉积系统包括沉积源和设置在沉积源的沉积路径内的扫描台。扫描台包括支撑平台和机械致动器，支撑平台配置成在其上支撑晶片，机械致动器耦接到支撑平台。机械致动器被配置成相对于沉积源平移支撑平台。沉积系统包括接近掩模，接近掩模设置在沉积源与扫描台之间的沉积源的沉积路径内，接近掩模限定缝隙。沉积系统包括与扫描台通信的控制器，该控制器被配置成控制机械致动器以相对于缝隙平移晶片，使得沉积角度保持基本上恒定。在操作中，接近掩模防止具有不与缝隙对准的轨迹的沉积源材料接触晶片。
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公开(公告)号：CN114730793A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080387.X
申请日：2020-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/18
Abstract: 提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101278238A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036076.3
申请日：2006-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , G03F7/70341 , G03F7/70958
Abstract: 提供了一种浸没光刻系统，其包括可用于产生具有标称波长的光的光源和光学成像系统。该光学成像系统具有在从光源到待由其构图的物件的光路上的光学元件。所述光学元件具有适于接触液体的表面，该液体占据该表面和该物件之间的空间。该光学元件包括可由该液体降解的材料以及覆盖该表面上的可降解材料以保护该表面不受液体影响的保护涂层，该保护涂层对光透明、当暴露于光时稳定且当暴露于液体时稳定。
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公开(公告)号：CN101263431A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033608.8
申请日：2006-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70691 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 提供一种包括微电子衬底的制品(106)作为在微电子衬底的处理期间使用的制品。所述制品包括微电子衬底，所述微电子衬底具有前表面、与所述前表面相对的后表面以及位于所述前和后表面的边界处的外部边缘。所述前表面是所述制品的主表面。具有前表面、后表面以及在所述前和后表面之间延伸的内部边缘的可去除的环形边缘扩展元件(108)的所述内部边缘被连接到所述微电子衬底的所述外部边缘(114)。以这样的方式，形成了包括所述边缘扩展元件的所述前表面(120)和所述微电子衬底的所述前表面(130)的连续的表面，在所述外部边缘被连接到所述内部边缘的位置处所述连续的表面基本上是共面和平坦的。
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公开(公告)号：CN115298673A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022743.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了通过永磁通量元件促进量子调谐的系统和技术。在不同实施例中，系统可以包括量子位器件。在各个方面，该系统可以进一步包括具有第一磁通量的永磁体，其中该量子位器件的工作频率是基于该第一磁通量的。在不同情况下，该系统可进一步包括具有调谐该第一磁通量的第二磁通量的电磁体。在各种情况下，永磁体可以包括纳米颗粒磁体。在不同实施例中，该纳米颗粒磁体可以包括嵌入在硅基质中的锰纳米颗粒。在各个方面，系统还可以包括在存在第二磁通量的情况下向纳米颗粒磁体施加电流、从而改变第一磁通量的强度的电极。
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公开(公告)号：CN102598214B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080050411.1
申请日：2010-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/033 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823431 , H01L29/66795 , H01L29/66818
Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。
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公开(公告)号：CN102005382B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010269392.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/31 , G03F7/26 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0338
Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。
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