公开(公告)号：CN102598214B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080050411.1

申请日：2010-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  Y·张 ,  程慷果 ,  S·霍姆斯 ,  X·华

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。

公开(公告)号：CN102598214A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050411.1

申请日：2010-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  Y·张 ,  程慷果 ,  S·霍姆斯 ,  X·华

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。