公开(公告)号：CN102640273A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054317.3

申请日：2010-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·张 ,  程慷果 ,  B·多里斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法包括：在半导体器件的表面上构图第一半导体结构，以及在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片。将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片。选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片。使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。

公开(公告)号：CN102598214B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080050411.1

申请日：2010-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  Y·张 ,  程慷果 ,  S·霍姆斯 ,  X·华

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。

公开(公告)号：CN102640273B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201080054317.3

申请日：2010-10-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·张 ,  程慷果 ,  B·多里斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法包括：在半导体器件的表面上构图第一半导体结构，以及在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片。将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片。选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片。使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。

公开(公告)号：CN102598214A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050411.1

申请日：2010-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·多里斯 ,  Y·张 ,  程慷果 ,  S·霍姆斯 ,  X·华

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: 一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括图案化心轴层以包括在集成电路器件的表面上的具有至少一个宽度的结构。使所述结构的暴露侧壁反应，以在所述侧壁中一体形成新化合物，以便所述新化合物以受控制的量延伸到所述暴露侧壁中而形成柱体。使用所述柱体作为蚀刻掩模蚀刻在所述柱体之下的一个或多个层，以形成用于集成电路器件的特征。