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公开(公告)号：CN109212912A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711261402.7
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01L27/0207 , G03F1/14 , G03F1/36 , G03F1/54 , G03F7/2002 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70441 , G03F7/70566 , G03F7/70958 , G03F7/70325
Abstract: 半导体装置的制造方法包含在基底上方提供具有图案化的吸收层的光掩模，使用具有横向电(TE)波和横向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在图案化的吸收层的侧壁上产生表面等离子体电磁极化子(SPP)，表面等离子体电磁极化子用于抑制横向磁波，同时反射横向电波，将目标基底暴露于横向电波。
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公开(公告)号：CN108292102A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064056.0
申请日：2016-10-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·奥斯特霍夫 , 保罗·詹森 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
CPC classification number: G03F7/70983 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K2201/067
Abstract: 一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件(80)的方法，所述方法包括：设置叠层(40)，所述叠层包括介于支撑衬底(41)与附接衬底(51)之间的隔膜层(45)，其中所述支撑衬底包括内部区和第一边界区；加工所述叠层，包括选择性地移除所述支撑衬底的所述内部区，以形成隔膜组件，所述隔膜组件包括：隔膜(45)，所述隔膜由至少所述隔膜层形成；和支撑件(81)，所述支承件保持所述隔膜，所述支撑件至少部分地由所述支撑衬底的所述第一边界区形成。所述附接衬底可被结合至所述叠层的其余部分。
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公开(公告)号：CN107850853A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041654.6
申请日：2016-07-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70341 , G02B27/0006 , G03F7/2041 , G03F7/70783 , G03F7/70808 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , H01L21/0274
Abstract: 公开了光刻设备、用于与浸没式光刻设备一起使用的投影系统、用于投影系统的最终透镜元件、液体控制构件以及器件制造方法。在一个布置中，光刻设备包括：投影系统PS，被配置为将经图案化的辐射束(B)通过投影系统投影到衬底(W)的目标部分上。液体限制结构(12)将浸没液体限制在投影系统和衬底之间的空间(10)中。投影系统包括：出射表面(104)，通过出射表面来投影经图案化的辐射束；以及面向液体限制结构的另一表面(110)。另一表面相对于浸没液体具有第一静态后退接触角。出射表面相对于浸没液体具有第二静态后退接触角。第一静态后退接触角：大于第二静态后退接触角；并且小于65度。
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公开(公告)号：CN107388976A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710236373.2
申请日：2017-04-12
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01B11/0616 , B82Y10/00 , G01J1/0238 , G01J1/429 , G01N21/41 , G01N21/4785 , G01N21/554 , G01N21/94 , G01N2021/9511 , G03F7/70591 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法，该方法包括：用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7)，检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a)，以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。
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公开(公告)号：CN105009255B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201480010492.0
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/22 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/221 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/541 , G03F7/70958
Abstract: 一种集成极紫外线坯料生产系统包括：用于将基板置放在真空中的真空腔室；沉积系统，所述沉积系统用于沉积多层堆叠物而不从真空移除基板；以及处理系统，所述处理系统用于处理多层堆叠物上的层，所述层待沉积为非晶金属层。一种用于制造极紫外线掩模坯料的物理气相沉积腔室包括：靶材，所述靶材包含与硼合金的钼。一种极紫外线光刻系统包括：极紫外线光源；镜，所述镜用于导向来自所述极紫外线光源的光；中间掩模台，所述中间掩模台用于置放具有多层堆叠物的极紫外线掩模坯料，所述多层堆叠物具有非晶金属层；以及晶片台，所述晶片台用于置放晶片。一种极紫外线坯料包括：基板；具有非晶金属层的多层堆叠物；以及位于所述多层堆叠物之上的覆盖层。
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公开(公告)号：CN104081284B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380006839.X
申请日：2013-01-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70891 , G02B17/0663 , G03F7/70316 , G03F7/706 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及一种光学布置，尤其是用于微光刻的投射镜头，包括：至少一个光学元件(21)，其包括光学表面(31a)和基板(32)，其中，所述基板(32)由一材料形成，所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度Tref有关的零交叉温度ΔTZC＝TZC‑Tref处等于零，其中，在所述光学装置运行期间，所述光学表面(31a)具有取决于位置的温度分布ΔT(x，y)，取决于位置的温度分布依赖于局部辐照度(5a)，与所述参考温度Tref有关，并具有平均温度ΔTav、最小温度ΔTmin和最大温度ΔTmax，其中，所述平均温度ΔTav小于由所述最小温度ΔTmin和所述最大温度ΔTmax形成的平均值1/2(ΔTmax+ΔTmin)，并且其中，所述零交叉温度ΔTZC大于所述平均温度ΔTav。本发明还涉及一种包括这种投射镜头形式的光学布置的EUV光刻设备和一种构造光学布置的相关方法。
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公开(公告)号：CN102621815B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210008750.4
申请日：2012-01-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·斯洛瓦
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的反射光学部件及一种器件制造方法，所述反射光学部件配置成反射EUV辐射。反射光学部件具有反射层，反射层具有不同的第一和第二金属的双金属盖层，不同的第一和第二金属被选择成确保盖层的外表面基本上不与硫反应或或不吸附硫。双金属盖层可以是两种金属的合金，或可以由沉积在反射层上的第一金属基底层和基底层上的第二金属表面层构成。两种金属的相互作用可以导致改变至盖层外表面的例如SO2等含硫分子的结合能，使得减少或消除导致反射率损失的硫吸附。
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公开(公告)号：CN104508559A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380028469.X
申请日：2013-05-29
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G02B1/115 , G02B1/10 , G02B1/105 , G03F7/7015 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及一种涂层，该涂层包括由在基片顶部的高折射率金属氟化物层、在该高折射率层顶部的低折射率金属氟化物层组成的两元金属氟化物涂层，以及在低折射率层顶部的SiO2层或者含0.2-4.5重量％(2000ppm-45,000ppm)F的F-SiO2层。在一种实施方式中，F-SiO2中的F含量是5000ppm-10,000ppm的F。所述高折射率和低折射率材料的沉积厚度各自小于或等于0.9四分之一波长，且封盖材料的沉积厚度是5-25纳米。本发明还涉及具有上述涂层的光学元件，以及制造所述涂层的方法。
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公开(公告)号：CN104335122A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380028021.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02F1/0128 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B17/06 , G02B26/0816 , G02B27/0068 , G03F7/2008 , G03F7/70266 , G03F7/70891 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。
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公开(公告)号：CN103827701A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047176.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C16/308 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用在例如EUV光刻设备或EUV掩模度量系统中的反射镜(13)，包括：基板(15)和反射EUV辐射(6)的涂层(16)，所述反射涂层具有由氮氧化物构成，尤其由SiNXOY构成的覆盖层(18)，其中，氮氧化物NXOY中的氮比例x在0.4和1.4之间。本发明还涉及一种包括至少一个这种EUV反射镜(13)的EUV光刻设备以及一种操作这种EUV光刻设备的方法。
